Ориентация на облако. Оптимизированные для хранения данных

Основные преимущества

  • Построен на базе первой в отрасли 144-слойной технологии QLC.

  • Консолидация и ускорение теплого хранения

  • Поддержка хранения до 1 ПБ в форм-факторе 1U.

  • Качество и надежность на уровне TLC.

  • Доступны в форм-факторах U.2 и E1.L.

BUILT IN - ARTICLE INTRO SECOND COMPONENT

SSD-накопители Intel® D5-P5316 сочетают первую в отрасли 144-слойную технологию QLC NAND и интерфейс PCIe 4-го поколения, что обеспечивает оптимизацию операций чтения, существенную экономию и ускорение теплого хранения данных.

По мере роста объемов данных хранение становится все более сложной задачей с точки зрения эффективности затрат, занимаемого места и производительности. Созданные на базе передовой технологии Intel Quad-Level Cell NAND SSD-накопители Intel® D5-P5316 помогают решить эти задачи, обеспечивая лучшую в отрасли плотность хранения SSD-накопителей в сочетании с высокой пропускной способностью интерфейса PCIe 4-го поколения. SSD-накопители Intel D5-P5316 имеют емкость до 30,72 ТБ и форм-фактор E1.L, что позволяет организовать систему хранения емкостью до 1 петабайта в форм-факторе 1U. В результате достигается масштабная консолидация хранения для снижения стоимости владения.

Раскройте потенциал сохраненных данных

SSD-накопители D5-P5316 с интерфейсом PCIe 4-го поколения ускоряют не только старые системы на базе жестких дисков, но и более новые системы на базе SSD-накопителей Intel предыдущих поколений. Новейшие SSD-накопители ускоряют доступ к хранимым данным в 25 раз по сравнению с жесткими дисками1, оптимизация производительности вдвое ускоряет операции последовательного чтения2, при этом производительность случайных операций чтений на 38% выше, время задержки на 48% ниже3, а долговечность в 5 раз больше по сравнению с SSD-накопителями Intel предыдущего поколения4.
Помимо повышения производительности, SSD-накопители Intel SSD D5-P5316 позволяют в 20 раз снизить физический объем, занимаемый теплой системой хранения данных5. Консолидация хранения дает возможность дополнительно сократить операционные затраты, в том числе снизить энергопотребление, расходы на охлаждение, затраты на замену накопителей и техническую поддержку.

Улучшения микропрограммного обеспечения для повышения производительности накопителей, эффективности ИТ, безопасности данных и удобства управления

В SSD-накопителях Intel D5-P5316 реализовано множество усовершенствований микропрограммного обеспечения, специально оптимизированного для корпоративных и облачных рабочих задач для более низкой задержки3, расширенных возможностей управления и критически важных новых функций NVMe.

  • Поддержка NVMe 1.3c и NVMe-MI1.0a.
  • Использование списков SGL устраняет необходимость двойной буферизации данных хоста.
  • Энергонезависимый журнал событий открывает более глубокую историю операций накопителя для масштабной отладки.
  • Разработан для высокой безопасности с аппаратным шифрованием AES-256, NVMe Sanitize, Firmware Measurement.
  • Телеметрия обеспечивает доступ к широкому спектру сохраненных данных и включает интеллектуальное отслеживание ошибок и ведение журнала. Это повышает надежность обнаружения и устранения проблем и поддерживает ускоренные квалификационные циклы, в результате чего повышается эффективность решений в сфере ИТ.

Ускорение разнообразных рабочих задач ЦОД

SSD-накопители D5-P5316 разработаны с нуля для оптимизации и ускорения хранения данных разнообразных рабочих задач ЦОД, включая сети распространения контента (CDN), гиперконвергентные инфраструктуры (HCI), большие данные, искусственный интеллект (ИИ), эластичные облачные хранилища (CES) и высокопроизводительные вычисления (HPC). Основные усовершенствования архитектуры ускоряют разнообразные рабочие задачи чтения, а также последовательные/случайные операции записи больших блоков, сохраняя при этом низкое время отклика согласно SLA. SSD-накопитель D5-P5316 поддерживает запись блоков всех размеров со схемой улучшения параметров QoS, сохраняющей низкую задержку при интенсивной записи.

Отраслевой лидер в технологии NAND

144-слойная технология 3D NAND от Intel обеспечивает лучшую в отрасли плотность данных6 и их сохранение7, позволяя корпоративным клиентам уверенно масштабировать массивы хранения для удовлетворения своих растущих потребностей. Быстрое внедрение программно-определяемой и гиперконвергентной инфраструктуры повышает требования в отношении максимизации эффективности, ускорения работы существующего аппаратного обеспечения и повышения надежности сервера при условии сохранения оперативной надежности.

Обзор характеристик

   
Модель SSD-накопитель Intel® D5-P5316
Емкость и форм-фактор U.2 15 мм/E1.L: 15,36 ТБ, 30,72 ТБ
Интерфейс PCIe 4.0 x4, NVMe 1.3c
Среда передачи данных Технология Intel® 3D NAND, 144 слоя, QLC
Производительность

Последовательные операции чтения-записи 128K, до 7000/3600 МБ/с

Случайные операции чтения 4K до 800 тыс. операций ввода-вывода в секунду (IOPS)

Случайные операции записи блоков 64K до 510 МБ/с

Случайные операции чтения-записи 64K 70/30 до 1170 МБ/с

Долговечность

0,41 DWPD

(100% рабочая нагрузка случайной записи блоков 64 КБ)

Надежность

Количество невосстановимых ошибок чтения: 1 сектор на 1017 бит при считывании

Среднее время безотказной работы: 2 млн часов

Энергопотребление

Макс. средняя активная запись: 25W

Во время простоя: 5 Вт

Гарантия Ограниченная гарантия на 5 лет

Информация о продукте и производительности

1

Скорость последовательного чтения на основе SSD-накопителя Intel® D5-P5316 по сравнению с Seagate Exos X18 (seagate.com/files/www-content/datasheets/pdfs/exos-x18-channel-DS2045-1-2007GB-en_SG.pdf).

2

Производительность последовательного чтения до 2 раз выше — сравнение пропускной способности последовательного чтения блоков 128 КБ между SSD-накопителем Intel® D5-P5316 15,36 ТБ (7,0 Гбит/с) и SSD-накопителем Intel® D5-P4326 15,36 ТБ (3,2 Гбит/с).

3

До 48% лучше параметры задержки при 99,999%: Источник — спецификации продукции Intel®. Сравнение измеренной производительности произвольного режима чтения и записи блоками по 4 КБ, параметры задержки при QD=1, перцентиль 99,999% между SSD-накопителем Intel® D5-P5316 15,36 ТБ и SSD-накопителем Intel® D5-P4326 15,36 ТБ. Измеренная производительность составляет 600 μс и 1150 μс для SSD-накопителя Intel® D5-P5316 и SSD-накопителя Intel® D5-P4326 соответственно. Процентное изменение = 48%.

4

До 5 раз выше долговечность по сравнению с предыдущим поколением — сравнение долговечности (произвольные операции записи блоков 64 КБ) между SSD-накопителем Intel® D5-P5316 30,72 ТБ (запись 22930 ТБ) и SSD-накопителем Intel® D5-P4326 15,36 ТБ (запись 4400 ТБ).

5

До 20 раз меньше площадь, занимаемая хранилищем «теплых данных». С жестким диском 4 ТБ требуется пространство 10 x (2U) в стойке, чтобы заполнить 1 ПБ емкости хранилища. С SSD-накопителем Intel® D5-P5316 30,72 ТБ E1.L или U.2 требуется пространство 1U в стойке, чтобы заполнить 1 ПБ емкости хранилища. Это до 20 раз повышенная плотность в стойке.

6

Источник: ISSCC 2015, J. Im; ISSCC 2017 R Yamashita; ISSCC 2017 C Kim; ISSCC 2018; H. Maejima; ISSCC 2019 C. Siau.

7

Измерения были выполнены на компонентах твердотельных накопителей с использованием технологии с плавающими затворами и памяти с ловушкой заряда. Используемая платформа измерения: тестовые системы памяти Teradyne Magnum 2 и программирование с помощью случайных кодов и границ, установленных с помощью пользовательских команд. Данные измерены в августе 2019 г.