Ориентация на облако. Оптимизированная производительность.

Основные выводы

  • 144-слойная технология Intel® 3D NAND TLC нового поколения

  • Ускорение широкого спектра рабочих нагрузок облачных центров обработки данных с меньшими задержками

  • Усовершенствованные корпоративные функции безопасности и удобство управления

  • Быстродействие при смешанном вводе-выводе

BUILT IN - ARTICLE INTRO SECOND COMPONENT

Соответствие современным требованиям к производительности, управлению и вводу/выводу для широкого спектра рабочих нагрузок.

SSD-накопитель Intel® D7-P5510, в котором используется 144-слойная память TLC и технология Intel® 3D NAND, обеспечивает оптимизированную производительность для флэш-массивов. Он позволяет повысить скорость обработки данных и безопасность их хранения. SSD-накопитель Intel® D7-P5510 работает под управлением контроллера PCIe 4.0 и микропрограммного обеспечения Intel, благодаря чему обеспечивается низкий уровень задержки, расширенные возможности управления, масштабируемость и важные новые функции NVMe для предприятий и облачных сред.

Эти SSD-накопители имеют форм-фактор U.2 15 мм, емкость 3,84 ТБ или 7,68 ТБ. Допустимое количество перезаписей всего объема накопителя (DWPD) составляет 1 в день.

Улучшенная производительность и сниженная задержка

SSD-накопитель Intel D7-P5510 обеспечивает предсказуемо высокую производительность и может значительно ускорить работу флэш-массивов. Благодаря оптимизированной производительности скорость последовательного чтения D7-P5510 до 2 раз выше1, задержка на 50% ниже2, а скорость работы при смешанной рабочей нагрузке (70% чтение, 30% запись) на 50% выше3 по сравнению с SSD-накопителем Intel® предыдущего поколения.

Новая архитектура TRIM повышает производительность в реальных условиях, когда используются команды управления наборами данных. Оптимизированная архитектура TRIM сейчас запускается в фоновом процессе, не пересекаясь с рабочими нагрузками, что повышает производительность и качество работы для работающих одновременно TRIM. Процесс TRIM улучшен благодаря снижению объема записи, что помогает добиться необходимой надежности устройств.

Улучшения встроенного ПО для повышения производительности накопителя, ИТ-эффективности, безопасности данных и управляемости

В микропрограммное обеспечение SSD-накопителя Intel D7-P5510 внесены многочисленные улучшения, предназначенные для повышения ИТ-эффективности и безопасности данных, что имеет большое значение в мире, все более ориентированном на данные.

Многочисленные динамические пространства имен сокращают время исполнения и улучшают управление хранением. Выделение резервной области на накопителе с помощью одного пространства имен меньшего размера позволяет повысить надежность и скорость произвольной записи4.

  • Расширенная поддержка формата LBA придает базовому программному обеспечению гибкость для передачи метаданных и данных безопасности вместе с полезной нагрузкой. SSD-накопитель Intel D7-P5510 поддерживает функцию VSS со следующими размерами секторов: 512/520/4096/4104/4160 байт.
  • Список записи и выборки (SGL) повышает производительность за счет устранения необходимости согласования данных на хосте.
  • Улучшенный мониторинг SMART, который предоставляет отчеты о состоянии привода без нарушения потока данных ввода/вывода, используя внутриполосный механизм и внеполосный доступ.
  • Самодиагностика устройства повышает удобство работы клиентов, обеспечивая ожидаемое функционирование устройств. Хост-система может запросить устройство хранения (SSD-накопитель) выполнить тесты для обеспечения его нормальной работы, в том числе проверку SMART, резервное копирование данных энергозависимого запоминающего устройства, целостность NVM, оставшийся срок службы накопителя.
  • Телеметрия обеспечивает доступ к широкому спектру сохраненных данных и включает интеллектуальное отслеживание ошибок и ведение журнала. Это повышает надежность обнаружения и устранения проблем и поддерживает ускоренные квалификационные циклы, в результате чего повышается эффективность решений в сфере ИТ.
  • Поддерживаются дополнительные функции безопасности, такие как TCG Opal 2.0, настраиваемая блокировка пространства имен, очистка и форматирование NVM.
  • Схема защиты от неизбежной потери мощности (PLI) со встроенной системой самопроверки обеспечивает сохранность данных при внезапном отключении питания системы. В сочетании с передовой комплексной схемой защиты данных5 функции PLI также позволяют облегчить развертывание в энергонезависимых центрах обработки данных, где повреждение данных вследствие ошибок на уровне системы недопустимо.

Отраслевой лидер в технологии NAND

144-слойная технология 3D NAND от Intel обеспечивает лучшую в отрасли плотность данных6 и их сохранение7, позволяя корпоративным клиентам уверенно масштабировать массивы хранения для удовлетворения своих растущих потребностей. Быстрое внедрение программно-определяемой и гиперконвергентной инфраструктуры повышает требования в отношении максимизации эффективности, ускорения работы существующего аппаратного обеспечения и повышения надежности сервера при условии сохранения оперативной надежности.

Ведущие производители корпоративных серверов стали активно использовать SSD-накопители с интерфейсом PCIe/NVMe, отличающиеся масштабируемой производительностью, низкой задержкой и инновационными решениями. Удовлетворение растущих требований к интенсивным нагрузкам ввода/вывода, включая искусственный интеллект и аналитику, стали основным элементом любой корпоративной стратегии.

Обзор характеристик

Модель SSD-накопитель Intel® D7-P5510
Емкость и форм-фактор U.2 15 мм: 3,84 ТБ; 7,68 ТБ
Интерфейс PCIe 4.0 x4, NVMe 1.3c
Среда передачи данных Технология Intel® 3D NAND, 144-слойная, TLC
Производительность Последовательная запись/чтение блоков 128 КБ со скоростью до 7000/4,194 МБ/с
Случайная запись/чтение блоков 4 КБ со скоростью до 930 тысяч/190 тысяч операций ввода-вывода в секунду
Долговечность 1 DWPD (до 14 PBW)
Надежность

Количество невосстановимых ошибок чтения: 1 сектор на 1017 бит при считывании

Среднее время безотказной работы: 2 млн часов
Энергопотребление

Макс. средн. при активной записи: 18 Вт

Во время простоя: 5 Вт
Гарантия Ограниченная гарантия на 5 лет
Показать больше Показать меньше View all

Инфраструктура хранения для ИИ

Ускорение разнообразных рабочих задач в системах хранения данных ИИ и повышение эффективности их работы играют важную роль для понимания истинного значения ИИ. Подробнее о том, как создать ускоренный, эффективный и масштабируемый конвейер хранения данных ИИ.

Модернизируйте вашу систему хранения, чтобы подготовиться к использованию ИИ.

Твердотельный накопитель Intel®


Узнайте о технологиях для стимулирования инноваций в области хранения данных.

Подробнее

Уведомления и отказ от ответственности8

Конфигурация для сносок 1–3: оценка и конфигурация системы: системная плата: серверная плата Intel® S2600WFT, версия: R2208WFTZS, BIOS: SE5C620.86B.00.01.0014.070920180847, архитектура платформы: x86_64, ЦП Intel® Xeon® Gold 6140 на 2,30 ГГц; сокеты ЦП: 2, емкость ОЗУ: 32 ГБ, модель ОЗУ: DDR4, версия ОС: centos-release-7-5, идентификатор сборки: 1804, ядро: 4.14.74, драйвер NVMe Inbox, версия Fio: 3.5, использовался коммутатор PCIe 4.0 от Microsemi. P5510, P5316 были протестированы на микропрограммном обеспечении JCV10100 и ACV10005 соответственно.

Информация о продукте и производительности

1

До 2 раз выше скорость последовательного чтения. Заявление основано на сравнении скорости последовательного чтения блоков по 128 КБ SSD-накопителя Intel® серии D7-P5510 (7,0 ГБ/с) со скоростью последовательного чтения блоков по 128 КБ SSD-накопителя Intel® DC серии 4510 (3,20 ГБ/с). Дата тестирования: октябрь 2020 г.

2

До 50% ниже уровень задержек. Заявление основано на выполнении рабочей нагрузки по произвольному чтению (75%) и записи (25%) блоков по 4 КБ в течение 6 секунд (9 секунд). Уровень задержек SSD-накопителя Intel® серии D7-5510 (1100 мкс) на 50% ниже по сравнению с SSD-накопителем Intel® DC серии P4510 (2539 мкс). Дата тестирования: октябрь 2020 г.

3

До 50% больше операций ввода-вывода в секунду при выполнении смешанной рабочей нагрузки. Заявление основано на сравнении результатов выполнения смешанной рабочей нагрузки по чтению (70%) и записи (30%) блоков по 4 КБ с помощью SSD-накопителя Intel® D7-P5510 емкостью 7,684 ТБ (400 000 операций) и SSD-накопителя Intel® DC P4510 емкостью 8 ТБ (226 000 операций). Дата тестирования: октябрь 2020 г.

4

 О преимуществах выделения резервной области на накопителях с одним пространством имен меньшего размера можно узнать в следующей статье: https://www.intel.com/content/dam/www/public/us/en/documents/white-papers/over-provisioning-nand-based-ssds-better-endurance-whitepaper.pdf.

5

Источник: Лос-Аламосский центр нейтронной науки. Тестирование накопителей проводилось в Лос-Аламосском центре нейтронной науки: https://lansce.lanl.gov/facilities/wnr/index.php. Фактор нейтронного ускорения 10^6. Тестирование проводилось на однопортовых SSD-накопителях: SSD-накопитель Intel® DC серии S3520, SSD-накопитель Intel® DC серии P3520, SSD-накопитель Intel® DC серии P3510, SSD-накопитель Intel® DC серии P4500, SSD-накопитель Intel® DC серии S4500, SSD-накопитель Intel® DC серии P4800X, SSD-накопитель Intel® серии D7-P55XX, SSD-накопитель Intel® серии D7-P56XX, Samsung PM953, Samsung PM1725, Samsung PM961, Samsung PM863, Samsung PM963, Samsung 860DCT, Samsung PM883, Samsung PM983, Micron 7100, Micron 510DC, Micron 9100, Micron 5100, Micron 5200, HGST SN100, Seagate 1200.2, SanDisk CS ECO, Toshiba XGS, Toshiba Z6000. Совокупное время измерения нулевого скрытого повреждения данных у однопортовых накопителей Intel составило > 5 миллионов часов. Для определения коэффициентов скрытого повреждения данных и оценки общей эффективности комплексной защиты данных использовалось нейтронное излучение. Повреждение данных в контроллере SSD-накопителя может быть вызвано ионизирующим излучением и нестабильностью SRAM. Скрытые ошибки измерялись во время исполнения и после перезагрузки, когда накопитель «зависал». Сравнивались ожидаемые данные с фактическими данными, возвращаемыми накопителем. Годовой показатель повреждения данных — это значение, которое было получено при ускоренном тестировании, поделенное на значение ускорения пучка (см. стандарт JEDEC JESD89B/C).

6

Источник: ISSCC 2015, J. Im; ISSCC 2017 R Yamashita; ISSCC 2017 C Kim; ISSCC 2018; H. Maejima; ISSCC 2019 C. Siau.

7

Измерения были выполнены на компонентах твердотельных накопителей с использованием технологии с плавающими затворами и памяти с ловушкой заряда. Используемая платформа измерения: тестовые системы памяти Teradyne Magnum 2 и программирование с помощью случайных кодов и границ, установленных с помощью пользовательских команд. Данные измерены в августе 2019 г.

8

Производительность зависит от вида использования, конфигурации и других факторов. Подробнее: www.Intel.ru/PerformanceIndex.

Результаты тестов производительности основаны на тестировании по состоянию на момент времени, указанный в конфигурации, и могут не отражать всех общедоступных обновлений безопасности. Подробная информация о конфигурации представлена на обратной стороне. Ни один продукт или компонент не может обеспечить абсолютную защиту.

Ваши расходы и результаты могут отличаться.

Intel не контролирует и не проверяет сторонние данные. Для оценки точности следует обращаться к другим источникам информации.

Для работы технологий Intel может потребоваться специальное оборудование, ПО или активация сервисов.