Вдохновлено крупным бизнесом. Оптимизированная производительность.

Основные выводы

  • Следующее поколений твердотельных накопителей с высокой емкостью на базе новейшей технологии TLC Intel® 3D NAND.

  • Новый контроллер с поддержкой PCIE Gen4 и встроенное ПО обеспечивают низкий уровень задержек и масштабируемость.

  • В 2 раза выше последовательная производительность и на 44% выше производительность при случайных смешанных рабочих нагрузках по сравнению с твердотельными накопителями Intel® предыдущего поколения.

  • Отвечает высоким требованиям в отношении ввода/вывода для таких рабочих нагрузок, как ИИ и аналитика.

  • Продвинутые функции для повышения эффективности решений в сфере ИТ и безопасности данных.

BUILT IN - ARTICLE INTRO SECOND COMPONENT

В декабре 2021 года компания Solidigm [www.solidigmtechnology.com], a subsidiary of SK hynix, приобрела бизнес NAND у корпорации Intel, включая твердотельные накопители Intel® NAND. Устаревшие материалы Intel® будут предоставляться до завершения перехода.

Предназначено для удовлетворения современных растущих требований в отношении решений для ввода/вывода в широком диапазоне рабочих нагрузок, повышая эффективность решений в сфере IT.

Разработанные с использованием 96-слойной TLC, технологии Intel® 3D NAND, твердотельные накопители Intel® серий D7-P5500 и D7-P5600 обеспечивают оптимизированную производительность и емкость для массивов TLC и предназначены для повышения эффективности решений в сфере ИТ и безопасности данных. Твердотельные накопители Intel® серий D7-P5500 и D7-P5600 оснащены новейшим контроллером Intel PCIe* Gen4 и встроенное ПО, которые обеспечивают низкий уровень задержек, повышают возможности управления, масштабируемость и поддержку критически важных для корпоративных и облачных сред функции NVMe*.

Доступные в форм-факторе U.2 15мм, эти твердотельные накопители обеспечивают 1,92, 3,84 и 7,68 ТБ на 1 DWPD (Disk Write per Day , допустимое количество перезаписей всего объема накопителя в день), и 1,6, 3,2 и 6,4 ТБ на 3 DWPD.

Раскройте потенциал сохраненных данных

Твердотельные накопители Intel® серий D7-P5500 и D7-P5600 обеспечивают предсказуемо высокие скорость и производительность и могут значительно ускорить работу массивов TLC в хранилищах. По сравнению с твердотельными накопителями Intel® предыдущего поколения устройства серии D7-P5500 с оптимизированной емкостью обеспечивают в последовательную производительность до 2-х раз выше1, устройства серии D7-P5600 с оптимизированной емкостью обеспечивают производительность при смешанных рабочих нагрузках выше до 44 %2. Оба типа устройств демонстрируют преимущества в отношении задержек при считывании остаточных данных, включая до 80 % снижение для произвольного считывания блоками по 4 КБ для 99,99999 % транзакций.3

Улучшения встроенного ПО, например, приоритет для рабочих нагрузок хоста и поддержка обновлений без перезагрузки, дополнительно повышают производительность приложений.

Продвинутые функции для производительности, эффективности решений в сфере ИТ и безопасности данных

Твердотельные накопители Intel® серий D7-P5500 и D7-P5600 включают многочисленные усовершенствования программного обеспечения, специально предназначенные для повышения эффективности решений в сфере ИТ и безопасности данных в условиях постоянного роста важности данных в современном мире.

  • Динамичное управление пространством имен обеспечивает гибкость для работы с большим числом пользователей и дальнейшего развертывания.
  • Дополнительные функции безопасности, например, TCG Opal 2.0 и встроенный движок шифрования AES-XTS 256-bit, которые требуются некоторым защищенным платформам.
  • Улучшенный мониторинг SMART, который предоставляет отчеты о состоянии привода без нарушения потока данных ввода/вывода, используя внутриполосный механизм и внеполосный доступ.
  • Телеметрия 2.0 обеспечивает доступ к широкому спектру сохраненных данных и включает интеллектуальное отслеживание ошибок и логирование. Это повышает надежность обнаружения и устранения проблем и поддерживает ускоренные квалификационные циклы, в результате чего повышается эффективность решений в сфере ИТ.
  • Оптимизированная архитектура TRIM сейчас запускается в фоновом процессе, не пересекаясь с рабочими нагрузками, что повышает производительность и качество работы для работающих одновременно TRIM. Процесс TRIM улучшен для приводов с высокой емкостью, а увеличение объёма записи было снижено, что помогает добиться необходимой надежности устройств.
  • Схема защиты от неизбежной потери мощности (PLI) со встроенной системой самопроверки обеспечивает сохранность данных при внезапном отключении питания системы. В сочетании со схемой защиты сквозного пути данных функции PLI также позволяют облегчить развертывание в энергонезависимых центрах обработки данных, где повреждение данных вследствие ошибок на уровне системы недопустимо.

Укрепляя лидерство в области технологии NAND

96-слойная технология 3D NAND от Intel обеспечивает лучшую в индустрии плотность данных и их удержание,4 позволяя корпоративным клиентам уверенно масштабировать массивы хранения для удовлетворения своих растущих потребностей. Быстрое внедрение программно-определяемой и гиперконвергентной инфраструктуры повышает требования в отношении максимизации эффективности, ускорения работы существующего аппаратного обеспечения и повышения надежности сервера при условии сохранения оперативной надежности.

Удовлетворение растущих требований к интенсивным нагрузкам ввода/вывода, включая ИИ и аналитику, стали основным элементом любой корпоративной стратегии. Лучшие производители корпоративных серверных решений отвечают на эти потребности использованием твердотельных накопителей на базе PCIe/NVMe* с масштабируемой производительностью, низким уровнем задержек и постоянным совершенствованием.

Обзор характеристик

Модель Твердотельный накопитель Intel® серии D7-P5500 Твердотельный накопитель Intel® серии D7-P5600
Интерфейс и формфактор U.2 15 мм: 1,92 ТБ, 3,84 ТБ, 7,68 ТБ U.2 15 мм: 1,6 ТБ, 3,2 ТБ, 6,4 ТБ
Интерфейс PCIe* 4.0 x4, NVMe* 1.3c PCIe* 4.0 x4, NVMe* 1.3c
Среда передачи данных Технология Intel® 3D NAND, 96 слоев, TLC Технология Intel® 3D NAND, 96 слоев, TLC
Производительность Последовательная запись/чтение блоков 128 КБ со скоростью до 7000/4300 МБ/сек Последовательная запись/чтение блоков 128 КБ со скоростью до 7000/4300 МБ/сек
  Случайная запись/чтение блоков 4 КБ со скоростью до 1 млн/130 тысяч операций ввода-вывода в секунду Случайная запись/чтение блоков 4 КБ со скоростью до 1 млн/260 тысяч операций ввода-вывода в секунду
Долговечность 1 DWPD (до 14 PBW) 3 DWPD (до 35 PBW)
Надежность

Количество невосстановимых ошибок чтения: 1 сектор на 1017 бит при считывании

Среднее время безотказной работы: 2 млн часов

Количество невосстановимых ошибок чтения: 1 сектор на 1017 бит при считывании

Среднее время безотказной работы: 2 млн часов
Энергопотребление

Макс. средн. при активной записи: 20 Вт

Во время простоя: 5 Вт

Макс. средн. при активной записи: 20 Вт

Во время простоя: 5 Вт
Гарантия Ограниченная гарантия на 5 лет Ограниченная гарантия на 5 лет
  Смотреть спецификацию продукции ›
 Смотреть спецификацию продукции ›
Весь список Показать меньше

Инфраструктура хранения для ИИ

Ускорение разнообразных рабочих задач в системах хранения данных ИИ и повышение эффективности их работы играют важную роль для понимания истинного значения ИИ. Подробнее о том, как создать ускоренный, эффективный и масштабируемый конвейер хранения данных ИИ.

Модернизируйте вашу систему хранения, чтобы подготовиться к использованию ИИ.

Твердотельный диск Intel®


Узнайте о технологиях для стимулирования инноваций в области хранения данных.

Подробнее

Информация о продукте и производительности

1

Сравнение производительности SSD-накопителей серий D7-P5600 и DC P4610 SSD-накопители Intel® серии DC P4610, описание продукции: https://www.intel.ru/content/www/ru/ru/products/docs/memory-storage/solid-state-drives/data-center-ssds/dc-p4610-p4618-series-brief.html​​​.

2

Источник: Intel. Сравнение измеренной производительности произвольного режима чтения и записи блоками по 4 КБ (4096 байт) 70/30 SSD-накопителей Intel® серии D7-P5600, 6,4 ТБ и SSD-накопителей Intel® серии DC P4610, 6,4 ТБ. Конфигурация теста и системы: процессор: ЦП Intel® Xeon® Gold 6139, 2,30 ГГц, BIOS: SE5C620.86B.00.01.0014.070920180847, ОЗУ 96 ГБ, модель ОЗУ DDR4 2666 МГц, набор микросхем: набор микросхем Intel® C624, технология Hyper-Threading: отключена, диспетчер выбора частоты процессора (в ОС): режим производительности, ОС: CentOS* 7.2 с ядром 4.8.6. Измеренная производительность составляла 520 тыс. операций ввода-вывода в секунду и 360 тыс. операций ввода-вывода в секунду для D7-P5600 и DC P4610 соответственно. Измерения выполнялись для диапазона адресов логических блоков (LBA) на всем твердотельном накопителе после достижения устойчивого состояния рабочей нагрузки, но включая все фоновые процессы, необходимые для нормального функционирования и надежности данных. Установленный режим энергопотребления: PM0.

3

Хвостовые задержки относятся к скорости реагирования в худшем случае; низкий уровень задержек при 99,99 % (49 с) означает, что самая медленная транзакция из каждых 10 000 транзакций будет улучшена. Источник: Intel. Сравнение измеренной производительности для задержек QD1 при 100 % произвольном чтении блоками по 4 КБ при наличии 99,99999 % (7 9с) накопителей Intel® серии D7-P5600, 6,4 ТБ и SSD-накопителей Intel® серии DC P4610, 6,4 ТБ. Измерения D7-P5600 и DC P4610 производились на последнем производственном встроенном ПО каждого диска, «10019» и «1047E» соответственно. Измеренная задержка составляла 0,48 мс и 2,57 мс для D7-P5600 и DC P4610 соответственно. Производительность обоих дисков, измеренная с помощью FIO Linux CentOS* 7.2 с ядром 4.8.6 с объемом передачи 4 КБ (4096 байт) с глубиной очереди 1 (1 сотрудник). Измерения выполнялись для диапазона адресов логических блоков (LBA) на всем твердотельном накопителе после достижения устойчивого состояния рабочей нагрузки, но включая все фоновые процессы, необходимые для нормального функционирования и надежности данных. Установленный режим энергопотребления: PM0.

4

Источник: международная конференция IEEE по твердотельным схемам. ISSCC 2015, J. Im; ISSCC 2017 R Yamashita; ISSCC 2017 C Kim; ISSCC 2018; H. Maejima; ISSCC 2019 C. Siau. Измерения были выполнены на компонентах твердотельных накопителей с использованием технологии с плавающими затворами и памяти с ловушкой заряда. Используемая платформа измерения: тестовые системы памяти Teradyne Magnum 2 и программирование с помощью случайных кодов и границ, установленных с помощью пользовательских команд. Данные, измеренные в августе 2019 г.

Производительность зависит от вида использования, конфигурации и других факторов. Дополнительная информация — по ссылке: www.Intel.ru/PerformanceIndex.

Результаты тестов производительности основаны на тестировании по состоянию на момент времени, указанный в конфигурации, и могут не отражать всех общедоступных обновлений безопасности. Подробная информация о конфигурации представлена на обратной стороне. Ни один продукт или компонент не может обеспечить абсолютную защиту.

Ваши расходы и результаты могут отличаться.

Для работы технологий Intel® может потребоваться определенное оборудование, программное обеспечение или активация соответствующих сервисов.

© Корпорация Intel. Intel и логотип Intel являются товарными знаками корпорации Intel или ее подразделений в США и/или других странах. Другие наименования и товарные знаки являются собственностью своих законных владельцев.