Cloud Inspired. Storage Optimized.

Key Benefits

  • Built for cloud storage: Significantly increases server agility and utilization across a wide range of workloads

  • Do more per server: 64-layer, TLC, 3D NAND technology enables greater capacity for increased density

  • Minimize service disruptions: Enhanced SMART monitoring and power loss imminent (PLI) protection

  • Efficiently manage at scale: Dynamic namespace management, security features and built-in AES-XTS 256-bit encryption


Designed to meet today’s increasingly demanding service levels and support broader cloud workloads, while reducing storage costs.

Architected with 64-layer, Intel® 3D NAND Technology, the Intel® SSD DC P4510 Series delivers performance, Quality of Service (QoS), and capacity to help optimize storage efficiency, enabling data centers to do more per server, minimize service disruptions, and efficiently manage at scale.

These PCIe* SSDs are available in 1 TB, 2 TB, 4 TB, and 8 TB in the U.2 2.5” (15mm) form factor, and 15.36 TB in E1.L form factor.

Built for Cloud Storage Architectures

Multi-cloud has become a core element for any enterprise strategy, and top cloud providers have responded by openly embracing PCIe*/NVMe*-based SSDs with scalable performance, low latency, and continued innovation.

As software-defined and converged infrastructures are swiftly adopted, the need increases to maximize efficiency, revitalize existing hardware, deploy new workloads, and yet reduce operational expenditures.

The Intel® SSD DC P4510 Series increases server agility and utilization, and accelerates applications.1 Intel’s 64-layer, 3D NAND technology offers increased density, the key to supporting broader workloads, allowing cloud service providers to increase users, and improve data service levels. Better QoS is ensured with an intelligent firmware algorithm that keeps host and background data read/write at an optimum balance.

Do More Per Server

With the SSD DC P4510, host applications will not only have access to double the capacity, but will also be serviced at up to 80% faster write rate,1 up to 2x better random write IOPS/TB1, and up to 10x reduction of service time at a QoS metric of 99.99% availability for random access workload.2 3

With this level of workload ability and agility, data centers can refresh existing hardware and reduce operational expenditures.

E1.L: The Shape of the Future

Intel® SSDs based on EDSFF were designed from the ground up for breakthrough efficiency. The E1.L form factor delivers higher capacity per drive and per server, with unparalleled thermal efficiency, more efficient management at scale, and flexible design options.

Minimize Service Disruptions
To ensure telemetry information without disrupting ongoing I/Os, the SSD DC P4510 includes enhanced SMART monitoring of drive health and status, using an in-band mechanism and out-of-band access. A power loss imminent (PLI) protection scheme with a built-in self-test guards against data loss if system power is suddenly cut.

Coupled with industry-leading end-to-end data path protection scheme, PLI features enable ease of deployment into resilient data centers where data corruption from system-level glitches is not tolerated. The SSD DC P4510 combines firmware enhancements with 3D NAND features to prioritize host workload and meet service levels.

Efficiently Manage at Scale
To help data centers make the most of increased SSD capacity per server, dynamic namespace management delivers the flexibility to enable more users and scale deployment. The SSD DC P4510 also provides security features like TCG Opal 2.0 and built-in AES-XTS 256-bit encryption engine, required by some secure platforms.

With the capability to manage multiple firmware versions on a drive and to support updates without a reset, the DC P4510 improves integration and increases the ease and efficiency of deploying at scale.

Features at-a-Glance

Model Intel® SSD DC P4510 Series U.2 Intel® SSD DC P4510 Series E1.L
Capacity and Form Factor U.2 2.5in x 15mm 1, 2, 4, 8 TB E1.L 9.5mm and 18mm 15.36 TB
Interface PCIe* 3.1 x4, NVMe* 1.2 PCIe* 3.1 x4, NVMe* 1.2
Media Intel® 3D NAND Technology, 64-layer, TLC Intel® 3D NAND Technology, 64-layer, TLC
Performance 128K Sequential Read/Write – up to 3200/3000 MB/s 128K Sequential Read/Write – up to 3100/3100 MB/s
Random 4KB R/W: Up to 641.8K/134.5K IOPs Random 4KB R/W: Up to 583.8K/131.4K IOPs
Reliability UBER: 1 sector per 101 bits read MTBF: 2 million hours UBER: 1 sector per 101 bits read MTBF: 2 million hours
Endurance Up to 13.88 PBW Up to 22.7 PBW
Power Up to 16 Watt Up to 16 Watt
Warranty 5-year warranty 5-year warranty

Информация о продукте и производительности


Источник: Intel. Комплексная защита данных подразумевает использование набора методов для обнаружения и исправления целостности данных на всем пути по мере их чтения или записи между хостом и контроллером и носителем информации твердотельного накопителя. Заявление основано на среднем коэффициенте ошибок накопителей Intel по сравнению с коэффициентами ошибок накопителей других производителей. Для определения коэффициентов скрытого повреждения данных и оценки общей эффективности комплексной защиты данных использовалось нейтронное излучение. Скрытые ошибки измерялись во время исполнения и после перезагрузки, когда накопитель «зависал». Сравнивались ожидаемые данные с фактическими данными, возвращаемыми накопителем. Годовой показатель повреждения данных экстраполировался из показателя, полученного при ускоренном тестировании частоты к ускорению альфа-частиц (см. стандарт JEDEC* JESD89A).


Сравнение твердотельных накопителей Intel® DC серии P4510 и Intel® DC серии P4500. См. краткое описание твердотельных накопителей Intel® DC серии P4500.


Источник: тест Intel. Конфигурация теста и системы: процессор: ЦП Intel® Xeon® E5-2699 v4 с тактовой частотой 2,20 ГГц, 55 МБ, 22 ядра, разъемов: 2, версия BIOS: SE5C610.86B.01.01.0022.062820171903 (серверная плата Intel® S2600WT), емкость памяти: 32 ГБ, модель памяти: DDR4-2137, заполнение памяти: 1 из 4 каналов, заполнение разъемов DIMM: 4 разъема, закрепление канала PCIe*: на процессоре (не PCH), набор микросхем: набор микросхем Intel® C612, модель/поставщик коммутатора/ретаймера: неприменимо, ОС: CentOS 7.3 1611, ядро: 4.8.6, драйвер NVMe*: ядро 4.8.6 (оригинальный), состояние С: отключено, технология Hyper Threading: отключена, диспетчер выбора частоты процессора (в ОС): производительность (режим по умолчанию: сбалансированный). Некоторые результаты были получены или смоделированы с использованием внутреннего анализа Intel либо симуляции или моделирования архитектуры и представлены здесь в информационных целях. Задержка. Источник: Intel. Сравнение скорости произвольного чтения блоками по 4 КБ с глубиной очереди 1 и перцентилем задержки 99,99% для твердотельных накопителей Intel® DC серии P4510 емкостью 2 ТБ и Intel® DC серии P4500 емкостью 2 ТБ. В этой конфигурации использовался FIO: серверная плата Intel® S2600WTTR, процессор Intel® Xeon® E5-2699 v4, частота: 2,30 ГГц, BIOS Intel: внутренний выпуск, память DRAM: DDR4 емкостью 32 ГБ, ОС: Linux CentOS* 7.2 с ядром 4.8.6. Версия встроенного ПО твердотельного накопителя: VDV10120. Тестирование выполнялось корпорацией Intel.