Cloud Inspired. Optimized for Low Power Storage.

Key Benefits

  • Power-efficient SSD built for cloud storage architectures

  • Do more per server

  • Minimize service disruptions

  • Efficiently manage at scale

BUILT IN - ARTICLE INTRO SECOND COMPONENT

В декабре 2021 года компания Solidigm [www.solidigmtechnology.com], a subsidiary of SK hynix, приобрела бизнес NAND у корпорации Intel, включая твердотельные накопители Intel® NAND. Устаревшие материалы Intel® будут предоставляться до завершения перехода.

Designed to meet demanding service levels and support broader cloud workloads while reducing operational costs.

Built from the success of its cloud-inspired predecessor and architected with 64-layer Intel® 3D NAND Technology, the Intel® SSD DC P4511 Series delivers performance, quality of service (QoS), and capacity improvements to help optimize storage efficiency, enabling data centers to do more per server, minimize service disruptions, and efficiently manage at scale.

The PCIe* Intel® SSD DC P4511 Series is available in 1 TB and 2 TB in the M.2 (110mm) form factor, and in 4 TB in the E1.S form factor.

Power-Efficient SSD Built for Cloud Storage Architectures

Multi-cloud has become a core element for any enterprise strategy, and top cloud providers have responded by openly embracing PCIe*/NVMe*-based SSDs with scalable performance, low latency, and continued innovation.

As software-defined and converged infrastructures are swiftly adopted, the need increases to maximize efficiency, revitalize existing hardware, deploy new workloads, and yet reduce operational expenditures.

Do More per Server

The Intel® SSD DC P4511 Series, with 64-layer 3D NAND technology and M.2 and E1.S form factors, increases server agility and utilization, and accelerates applications across a wide range of cloud workloads.1 2 3 The SSD DC P4511 delivers up to 5x faster read bandwidth, up to 1.5x performance/watt, and up to 3.4x reduction of service time at QoS metric of 99.99% availability for random access workload.1 2 3 Better QoS is ensured with an intelligent firmware algorithm that keeps host and background data reads and writes at an optimum balance.

Minimize Service Disruptions

To ensure telemetry information without disrupting ongoing I/Os, the SSD DC P4511 includes enhanced SMART monitoring of drive health and status, using an in-band mechanism and out-of-band access. A power loss imminent (PLI) protection scheme with a built-in self-test guards against data loss if system power is suddenly cut.

Coupled with industry-leading end-to-end data path protection scheme, PLI features enables ease of deployment into resilient data centers where data corruption from system-level glitches is not tolerated.4 The DC P4511 combines firmware enhancements with 3D NAND features to prioritize host workload and meet service levels.

E1.S: Big Performance in a Tiny Package

Enable a dynamic range of solutions with scalable, flexible, powerful, and thermally efficient E1.S Intel® SSDs. The form factor designed for high-volume hyperscale increases system flexibility and storage density while optimizing capacity. Built-in serviceability and thermal efficiency enable scale while reducing costs and increasing reliability.

Efficiently Manage at Scale

To help data centers make the most of increased SSD capacity per server, dynamic namespace management delivers the flexibility to permit more users and scale deployment.

With the capability to manage multiple firmware versions on a drive and to support updates without a reset, the SSD DC P4511 improves integration and increases the ease and efficiency of deploying at scale.

Features at-a-Glance

Model Intel® SSD DC P4511 Series M.2 Intel® SSD DC P4511 Series E1.S
Capacity and Form Factor M.2 1 TB, 2 TB E1.S 5.9mm 4 TB
Interface

PCIe* 3.1 x4, NVMe* 1.2

PCIe* 3.1 x4, NVMe* 1.2
Media Intel® 3D NAND Technology, 64-layer, TLC Intel® 3D NAND Technology, 64-layer, TLC
Performance 128k Sequential Read/Write – up to 1900/1430 MB/s 128k Sequential Read/Write – up to 2800/2400 MB/s
Random 4KB R/W: Up to 295K/36K IOPs Random 4KB R/W: Up to 610.2K/75K IOPs
Reliability UBER: 1 sector per 101 bits read MTBF: 2 million hours UBER: 1 sector per 101 bits read MTBF: 2 million hours
Endurance Up to 1.95 PBW Up to 3.33 PBW
Power Up to 8.25 Watt
Up to 12.5 Watt
Warranty 5-year limited warranty
5-year limited warranty

Информация о продукте и производительности

1

Тест Intel: сравнение полосы пропускания при последовательном чтении блоков по 128 КБ на твердотельном накопителе Intel® DC серии S3520 емкостью 760 ГБ и на твердотельном накопителе Intel® DC серии P4511 емкостью 1 ТБ. Измеренная скорость составила 400 МБ/с и 2,0 ГБ/с соответственно. В приведенной выше конфигурации использован FIO.

2

Тест Intel: сравнение произвольных операций чтения/записи блоками по 4 КБ 70/30 с глубиной очереди 1, 99,99% перцентиль задержки. Тестирование выполнялось для сравнения твердотельного накопителя Intel® DC серии S3520 емкостью 760 ГБ и твердотельного накопителя Intel® DC серии P4511 емкостью 1 ТБ. Реальные значения производительности могут отличаться в зависимости от изменений конфигурации и настроек аппаратного или программного обеспечения вашей системы. Корпорация Intel предполагает определенный уровень различий в результатах измерений данных на разных накопителях. В приведенной выше конфигурации использован FIO.

3

Тест Intel: сравнение энергопотребления и полосы пропускания при последовательной записи блоками по 128 КБ с глубиной очереди 128 на твердотельном накопителе Intel® DC серии P4510 емкостью 2 ТБ и на твердотельном накопителе Intel® DC серии P4500 емкостью 2 ТБ. Также сравнивались накопители серий S3520 и P4511. В приведенной выше конфигурации использован FIO.

4

Источник: Intel. Комплексная защита данных подразумевает использование набора методов для обнаружения и исправления целостности данных на всем пути по мере их чтения или записи между хостом и контроллером и носителем информации твердотельного накопителя. Заявление основано на среднем коэффициенте ошибок накопителей Intel по сравнению с коэффициентами ошибок накопителей других производителей. Для определения коэффициентов скрытого повреждения данных и оценки общей эффективности комплексной защиты данных использовалось нейтронное излучение. Скрытые ошибки измерялись во время исполнения и после перезагрузки, когда накопитель «зависал». Сравнивались ожидаемые данные с фактическими данными, возвращаемыми накопителем. Годовой показатель повреждения данных экстраполировался из показателя, полученного при ускоренном тестировании частоты к ускорению альфа-частиц (см. стандарт JEDEC* JESD89A).