Cloud Inspired. Storage Optimized.

Designed to meet today’s increasingly demanding service levels and support broader cloud workloads, while reducing storage costs.

Built from the success of its cloud-inspired predecessor—the Intel® SSD DC P4600 — and architected with 64-layer TLC Intel® 3D NAND technology, the Intel® SSD DC P4610 and Intel® SSD DC P4618 deliver performance, quality of service (QoS), and capacity improvements to further optimize storage efficiency, enabling data centers to do more per server, minimize service disruptions, and efficiently manage at scale.

An SSD Built for Cloud Storage Architectures
Multi-cloud has become a core element for any enterprise strategy, and top cloud providers have responded by openly embracing PCIe*/NVMe*-based SSDs with scalable performance, low latency, and continued innovation.

As software-defined and converged infrastructures are swiftly adopted, the SSD DC P4610/P4618 meets the need to maximize efficiency, revitalize existing hardware, and accelerate applications across a wide range of cloud workloads, all while reducing operational costs.

Do More Per Server
Intel’s 3D NAND technology enables the SSD DC P4610 to increase available capacity up to 20% more compared to its immediate predecessor, the SSD DC P4600.1 This increased density is the key to supporting broader workloads, allowing cloud and enterprise service providers to increase users, and improve data service levels. Better QoS is ensured with an intelligent firmware algorithm that keeps host and background data reads and writes at an optimum balance.

With the SSD DC P4610, host applications not only have access to higher capacity, but are also serviced at up to 35% faster write rate,2 up to 35% more endurance per drive,3 and up to 4x reduction of service time at a QoS metric of 99.99% availability for random access workload.4

With the SSD DC P4618, write bandwidth is doubled and endurance is increased 50% over Intel® SSD DC P4608.1 2

Minimize Service Disruptions
To ensure telemetry information without disrupting ongoing I/Os, the SSD DC P4610/P4618 includes enhanced SMART monitoring of drive health and status, using an in-band mechanism and out-of-band access. A power loss imminent (PLI) protection scheme—with a built-in self-test—guards against data loss if system power is suddenly cut.

Coupled with our industry-leading end-to-end data path protection scheme, PLI features enable ease of deployment into resilient data centers where data corruption from system-level glitches is not tolerated.5 The SSD DC P4610/P4618 combines firmware enhancements with new 3D NAND features to prioritize host workload and ensure better service levels.

Efficiently Manage at Scale†
To help data centers make the most of increased SSD capacity per server, dynamic namespace management delivers the flexibility to enable more users and scale deployment. The SSD DC P4610 also provides security features like TCG Opal* 2.0 and built-in AES-XTS 256-bit encryption engine, required by some secure platforms.

With the capability to manage multiple firmware versions on a drive and to support updates without a reset, the DC P4610 improves integration and increases the ease and efficiency of deploying at scale.

Intel® SSD DC P4610/P4618 Series – Features & Specifications

Features at-a-Glance

SSD DC P4610

SSD DC P4618

Model

Intel® Solid State Drive DC P4610 Series

Intel® Solid State Drive DC P4618 Series

Capacity

1.6 TB, 3.2 TB, 6.4 TB, and 7.68 TB

6.4 TB

Performance6
128k Sequential Read/Write – up to 3200/3200 MB/s

128k Sequential Read/Write – up to 6650/5350 MB/s

Random 4KB R/W: Up to 654K/220K IOPs

Random 4KB R/W: Up to 1210K/484.5K IOPs

Reliability5

End-to-end data protection from silent data corruption,

uncorrectable bit error rate < 1 sector per 1017 bits read

End-to-end data protection from silent data corruption,

uncorrectable bit error rate < 1 sector per 1017 bits read

Interface

PCIe* 3.1 x4, NVMe* 1.2

PCIe* 3.1 x8, NVMe* 1.2

Form Factor

U.2 2.5in x 15mm (for serviceability, hot-plug, and density)

HHHL Add-in Card

Media

Intel® 3D NAND Technology, 64-layer, TLC

Intel® 3D NAND Technology, 64-layer, TLC

Endurance

Up to 3 DWPD (JESD219 workload)

Up to 4.56 DWPD (JESD219 workload)

Power7

Up to 15 Watt

Up to 29 Watt

Warranty

5-year limited warranty

5-year limited warranty

Intel® SSD Data Center Family


All manageability features are not available at the time of the product release but will be available in future maintenance release. Please refer to product specification for details about feature description and availability.

Информация о продукте и производительности

1

Сравнение твердотельного накопителя Intel® DC серии P4610 емкостью 7,68 ТБ и твердотельного накопителя Intel® DC серии P4600 емкостью 6,4 ТБ.

2

Сравнение полосы пропускания при последовательной записи блоками по 128 КБ с глубиной очереди 128 на твердотельном накопителе Intel® DC серии P4610 емкостью 6,4 ТБ и на твердотельном накопителе Intel® DC серии P4600 емкостью 6,4 ТБ. Измерения полосы пропускания для твердотельного накопителя Intel® DC P4600 показали результат 3,04 ГБ/с, а для твердотельного накопителя Intel® DC P4600 — 2,2 ГБ/с. Измеренные значения полосы пропускания операций записи для твердотельного накопителя Intel® серии DC P4618 6,4 ТБ и твердотельного накопителя Intel® серии DC P4608 6,4 ТБ: 5,3 ГБ/с и 2,5 ГБ/с соответственно в режиме 30 Вт.

3

Сравнение надежности рабочей нагрузки JEDEC для организаций на твердотельном накопителе Intel® серии DC P4610 6,4 ТБ и твердотельном накопителе Intel® серии DC P4600 6,4 ТБ и на твердотельном накопителе Intel® серии DC P4618 6,4 ТБ и твердотельном накопителе Intel® серии DC P4608 6,4 ТБ.

4

Тест Intel: сравнение операций произвольного чтения блоков по 4 КБ и операций произвольного чтения/записи 70/30 с глубиной очереди 1, 99,99% перцентиль задержки. Тестирование выполнялось для сравнения твердотельного накопителя Intel® DC серии P4610 емкостью 6,4 ТБ и твердотельного накопителя Intel® DC серии P4600 емкостью 6,4 ТБ. Например, измеренный уровень задержек для 99,99% составил 0,72 мс и 3,13 мс для твердотельных накопителей Intel ® DC серии P4610 и P4600 соответственно. Результаты измерений получены за 15 минут работы накопителей всех емкостей. Реальные значения производительности могут отличаться в зависимости от изменений конфигурации и настроек оборудования или программного обеспечения вашей системы. Корпорация Intel предполагает определенный уровень различий в результатах измерений данных на разных накопителях. Для тестирования использовалась утилита FIO* и конфигурация, указанная в сноске 6.

5

Источник: Intel. Комплексная защита данных подразумевает использование набора методов для обнаружения и исправления целостности данных на всем пути по мере их чтения или записи между хостом и контроллером и носителем информации твердотельного накопителя. Заявление основано на среднем коэффициенте ошибок накопителей Intel по сравнению с коэффициентами ошибок накопителей других производителей. Для определения коэффициентов скрытого повреждения данных и оценки общей эффективности комплексной защиты данных использовалось нейтронное излучение. Скрытые ошибки измерялись во время исполнения и после перезагрузки, когда накопитель «зависал». Сравнивались ожидаемые данные с фактическими данными, возвращаемыми накопителем. Годовой показатель повреждения данных экстраполировался из показателя, полученного при ускоренном тестировании частоты к ускорению альфа-частиц (см. стандарт JEDEC* JESD89A). Результаты тестов производительности основаны на тестировании от мая 2019 года и могут не отражать всех общедоступных обновлений безопасности. Подробная информация представлена в описании конфигурации. Ни один продукт или компонент не может обеспечить абсолютную защиту.

6

Тест и конфигурация системы: процессор: Intel® Xeon® 6140 класса Gold, 2,30 ГГц, память DRAM: DDR4 емкостью 32 ГБ, ОС: Linux* Centos* 7.3, ядро 4.8.6/4.15.rc1, твердотельный накопитель Intel® DC серии P4610, версия встроенного ПО VDV10140. Использовался пакет исправлений Intel BIOS Patch rev13 — https://ark.intel.com/products/89010/Intel-Server-System-R2208WFTZS.

7

Средняя мощность встроенного ПО VDV10160 твердотельного накопителя Intel® серии DC P4618 измерялось при последовательной записи блоков по 128 КБ с глубиной очереди 128. Для тестирования использовалась утилита FIO* и конфигурация, указанная в сноске 7.