Сравнить

Технические спецификации

Основные данные

Емкость
512 GB
Состояние
Launched
Дата выпуска
Q4'16
Тип литографии
3D NAND G1 TLC

Производительность

Последовательное чтение (в пределах)
1200 MB/s
Последовательная запись (в пределах)
145 MB/s
Случайное чтение (участок 100%)
88000 IOPS
Случайная запись (участок 100%)
10000 IOPS
Питание - активный режим
4.4W
Питание - режим простоя
0.52W

Надежность

Вибрация - при работе
2.17 GRMS (5-700Hz)
Вибрация - при хранении
3.13 GRMS (5-800Hz)
Ударная нагрузка (при работе и при хранении)
1,000 G/0.5 ms
Диапазон рабочих температур
0°C to 70°C
Среднее время наработки на отказ
1.6 million hours
Доля неустранимых битовых ошибок (UBER)
1 sector per 10^15 bits read
Гарантийный период
5 yrs

Дополнительная информация

Спецификации корпуса

Вес
<10 grams
Форм-фактор
M.2 22 x 80mm
Interface
PCIe NVMe 3.0 x4

Усовершенствованные технологии

Расширенная защита от потери данных при отключении питания
Нет
Аппаратное шифрование
AES 256 bit
High Endurance Technology
Нет
Мониторинг и журналирование температуры
Нет
Комплексная защита данных
Нет

Обзоры

Информация о продукте и производительности

Эта функция может присутствовать не во всех вычислительных системах. Свяжитесь с поставщиком, чтобы получить информацию о поддержке этой функции вашей системой или уточнить спецификацию системы (материнской платы, процессора, набора микросхем, источника питания, жестких дисков, графического контроллера, памяти, BIOS, драйверов, монитора виртуальных машин (VMM), платформенного ПО и/или операционной системы) для проверки совместимости с этой функцией. Функциональные возможности, производительность и другие преимущества этой функции могут в значительной степени зависеть от конфигурации системы.