Сравнить

Технические спецификации

Основные данные

Емкость
1 TB
Состояние
Launched
Дата выпуска
Q2'17
Тип литографии
3D NAND TLC

Производительность

Последовательное чтение (в пределах)
3200 MB/s
Последовательная запись (в пределах)
600 MB/s
Случайное чтение (участок 100%)
279500 IOPS
Случайная запись (участок 100%)
30500 IOPS
Задержка - чтение
85 µs
Задержка - запись
20 µs
Питание - активный режим
Sequential Avg. 11W (Write), 9.6 W (Read)
Питание - режим простоя
<5 W

Надежность

Вибрация - при работе
2.17 GRMS
Вибрация - при хранении
3.13 GRMS
Ударная нагрузка (при работе и при хранении)
1000 G/0.5 msec
Диапазон рабочих температур
0°C to 35°C
Рейтинг износоустойчивости (операции записи за все время эксплуатации)
1.38 PBW
Среднее время наработки на отказ
2 million hours
Доля неустранимых битовых ошибок (UBER)
<1 sector per 10^17 bits read
Гарантийный период
5 yrs

Дополнительная информация

Спецификации корпуса

Вес
131g
Форм-фактор
2.5" 15mm
Interface
PCIe NVMe 3.1 x4

Усовершенствованные технологии

Расширенная защита от потери данных при отключении питания
Да
Аппаратное шифрование
AES 256 bit
High Endurance Technology
Нет
Мониторинг и журналирование температуры
Да
Комплексная защита данных
Да
Технология Intel® Smart Response
Нет
Intel® Remote Secure Erase
Нет
Intel® Rapid Start Technology
Нет

Обзоры

Характеристики и преимущества

Ориентированы на облако. Оптимизированы для хранения данных.

Высокоэффективная емкость позволяет выполнять больше задач на каждом сервере, обеспечивая снижение совокупной стоимости владения и при этом повышая динамичность облачных инфраструктур.

Оптимизированы для эффективного облачного хранилища

Эти твердотельные накопители, ориентированные на облачные среды, созданы с применением качественно нового контроллера NVMe*. Они оптимизированы для рабочих нагрузок с большим количеством операций чтения и предназначены для максимального использования ресурсов процессора. Твердотельные накопители Intel DC серии P4500 позволяют увеличить количество пользователей центров обработки данных, добавлять новые сервисы и выполнять больше рабочих нагрузок на каждом сервере. Теперь вы можете хранить и получать больше данных.

Исключительное качество и надежность

Благодаря ведущим в отрасли качеству и надежности вы можете быть уверены в высокой готовности накопителей и защите ваших данных. Поддержка шифрования данных в системах хранения сводит к минимуму вероятность утечки информации, а ведущая в отрасли комплексная защита уменьшает количество скрытых ошибок в данных.1

Расширенные функции управления и обслуживания

Благодаря встроенным функциям управления, включая NVMe-MI, твердотельные накопители Intel DC серии P4500 позволяют осуществлять дистанционный мониторинг, контролировать и восстанавливать большее количество состояний устройств, а также оптимизировать важные сервисы.

Информация о продукте и производительности

Эта функция может присутствовать не во всех вычислительных системах. Свяжитесь с поставщиком, чтобы получить информацию о поддержке этой функции вашей системой или уточнить спецификацию системы (материнской платы, процессора, набора микросхем, источника питания, жестких дисков, графического контроллера, памяти, BIOS, драйверов, монитора виртуальных машин (VMM), платформенного ПО и/или операционной системы) для проверки совместимости с этой функцией. Функциональные возможности, производительность и другие преимущества этой функции могут в значительной степени зависеть от конфигурации системы.
1

Источник: Intel. Комплексная защита данных подразумевает использование набора методов для обнаружения и исправления целостности данных на всем пути по мере их чтения или записи между хостом и контроллером и носителем информации твердотельного накопителя. Тестирование выполнялось для твердотельных накопителей Intel® DC S3520, Intel® DC P3520, Intel® DC P3510, Intel® DC P4500, Samsung* PM953, Samsung PM1725, Samsung PM961, Samsung PM863, Micron* 7100, Micron 510DC, Micron 9100, HGST* SN100, Seagate* 1200.2, SanDisk* CS ECO. Заявление основано на среднем коэффициенте ошибок накопителей Intel по сравнению с коэффициентами ошибок накопителей других производителей. Для определения коэффициентов скрытого повреждения данных и оценки общей эффективности комплексной защиты данных использовалось нейтронное излучение. Повреждение данных в контроллере твердотельного накопителя может вызываться ионизирующим излучением, шумом сигнала и перекрестными помехами, а также нестабильностью SRAM. Скрытые ошибки измерялись во время исполнения и после перезагрузки, когда накопитель «зависал». Сравнивались ожидаемые данные с фактическими данными, возвращаемыми накопителем. Годовой показатель повреждения данных экстраполировался из показателя, полученного при ускоренном тестировании частоты к ускорению альфа-частиц (см. стандарт JEDEC* JESD89A).