Основные данные

Емкость
256 GB
Состояние
Launched
Дата выпуска
Q2'19
Условия использования
PC/Client/Tablet

Спецификации производительности

Последовательное чтение (в пределах)
1450 MB/s
Последовательная запись (в пределах)
650 MB/s
Питание - активный режим
5.3W
Питание - режим простоя
L1.2 : <12mW

Надежность

Вибрация - при работе
2.17 GRMS (5-700 Hz) Max
Вибрация - при хранении
3.13 GRMS (5-800 Hz) Max
Ударная нагрузка (при работе и при хранении)
1000 G / 0.5 ms and 1500 G / 0.5 ms
Диапазон рабочих температур
0°C to 70°C
Рабочая температура (максимум)
70 °C
Рабочая температура (минимум)
0 °C
Рейтинг износоустойчивости (операции записи за все время эксплуатации)
75TBW
Среднее время наработки на отказ
1.6 Million Hours
Доля неустранимых битовых ошибок (UBER)
< 1 sector per 10^15 bits read
Гарантийный период
5 yrs

Дополнительная информация

Техническое описание
Краткое описание продукции
URL-адрес для получения дополнительной информации
Описание
Introducing the new Intel® Optane™ Memory H10 with Solid State Storage which combines two breakthrough technologies, Low-latency Intel® Optane™ technology and high-density Intel® QLC 3D NAND in a single M.2 2280 form factor.

Спецификации корпуса

Вес
Less than 10 grams
Форм-фактор
M.2 22 x 80mm
Interface
PCIe 3.0 x4, NVMe

Усовершенствованные технологии

Расширенная защита от потери данных при отключении питания
Да
Мониторинг и журналирование температуры
Да
Комплексная защита данных
Да
Технология Intel® Rapid Start
Да