22-нанометровая технология Intel®

Первые в мире трехмерные транзисторы, готовые для массового производства.

Трехмерные 22-нанометровые транзисторы: производительность и энергоэффективность

В 2011 году корпорация Intel представила уникальную технологию для будущих семейств микропроцессоров: трехмерные 22-нанометровые транзисторы.

Ранее транзисторы — основной компонент микропроцессоров — были двухмерными (плоскими) устройствами. Трехмерные транзисторы Intel® Tri-Gate, а также возможность их массового производства, ознаменовали собой существенное изменение основной структуры компьютерной микросхемы. Трехмерная конструкция транзисторов позволила улучшить управление транзистором: стало возможным увеличивать ток (для повышения производительности), когда транзистор включен, и уменьшать ток, когда транзистор выключен (для уменьшения утечек).

Разработка новой конструкции доказала то, что корпорация Intel может и дальше занимать лидирующую позицию в производстве процессоров для различных устройств: от быстрых суперкомпьютеров до невероятно компактных мобильных устройств.

Транзистор — ключевой компонент

От размера и структуры транзисторов зависит реализация преимуществ закона Мура для конечных пользователей. Как правило, чем меньше размер и выше энергоэффективность процессора, тем лучше. Корпорация Intel продолжает уверенно уменьшать размер своей производственной технологии, представив серию первых в мире технологий: 45-нанометровую производственную технологию с сочетанием high-K-диэлектриков с металлическим материалом затвора в 2007 году, 32-нанометровую технологию в 2009 году, 22-нанометровую технологию с первыми в мире трехмерными транзисторами, массовое производство которых началось в 2011 году, а затем 14-нанометровые трехмерные транзисторы 2-го поколения в 2014 году.

Благодаря непрерывному совершенствованию технологии производства транзисторов корпорация Intel может проектировать более производительные процессоры с невероятной энергоэффективностью. Новая технология позволяет создавать инновационные микроархитектуры, однокристальные системы и новую продукцию: от серверов и компьютеров до смартфонов и инновационных персональных устройств.

Посмотрите, как Intel делает 22-нанометровые полупроводниковые микросхемы

Транзисторы в третьем измерении

В трехмерном транзисторе Intel® используются три затвора, которые размещаются вокруг кремниевого канала в трехмерной структуре, обеспечивая непревзойденное сочетание высокой производительности и энергоэффективности. Корпорация Intel разработала трехмерный транзистор, чтобы обеспечить сверхнизкое энергопотребление для мобильных устройств, например смартфонов и планшетов, а также увеличенную производительность, которая свойственна современным процессорам.

Подробнее о 22-нанометровых транзисторах Intel ›

Процессор Intel® Core™ 3-го поколения

Процессор Intel® Core™ 3-го поколения, представленный в конце 2011 года, стал первой микросхемой массового производства, в которой использовались трехмерные транзисторы.