Системная память для системной платы Intel® DH67BL для настольных ПК
Функции системной памяти
На платы имеется четыре розетки DIMM, которые поддерживают следующие функции памяти:
- 1,5 В DDR3 SDRAM DIMM с золотыми контактами с возможностью повышения напряжения для поддержки более высокой производительности DDR3 SDRAM DIMM
- Поддержка DDR3 с низким напряжением 1,35 В (новая спецификация JEDEC)
- Два независимых канала памяти с поддержкой режимов с перемежимом режиме
- Небуферные, односторонние или двухбокие dimm со следующим ограничением: двухбокие DIMM с организацией x16 не поддерживаются
- Максимальный объем системной памяти 32 ГБ (с технологией памяти 4 ГБ).
- Минимальный рекомендуемый объем системной памяти: 512 МБ
- DimM, не ECC
- Обнаружение серийного присутствия
- DDR3 1333 МГц и DDR3 SDRAM DIMM 1066 МГц
Чтобы быть полностью совместимы со всеми применимыми спецификациями памяти Intel® SDRAM, платы должны быть заполнены dimm, которые поддерживают структуру обнаружения серийного присутствия (SPD). Если ваши модули памяти не поддерживают SPD, вы увидите на экране уведомление об этом при ващении питания. BioS попытается сконфигурировать контроллер памяти для нормальной работы.
1,5 В — это рекомендуемая настройка по умолчанию для напряжения памяти DDR3. Другие настройки напряжения памяти программы BIOS Setup предоставляются только в целях настройки производительности. Изменение напряжения памяти может (i) привести к снижению стабильности системы и сокращению срок службы системы, памяти и процессора. (II) привести к сбойу процессора и других компонентов системы; (III) привести к снижению производительности системы; (iv) привести к дополнительному нагреву или другим повреждениям; и (v) повлиять на целостность системных данных.
Корпорация Intel не тестирована и не гарантирует работу процессора сверх его спецификаций. Для получения информации о гарантии на процессоры обратитесь к информации о гарантии процессора.
Поддерживаемые конфигурации памяти
| Емкость DIMM | Конфигурации | Плотность SDRAM | SDRAM Organization — спереди на стороне и на задней стороне | Количество устройств SDRAM |
| 512 МБ | Односторонний | 1 Гбит | 64 M x 16/пустые | 4 |
| 1 ГБ | Односторонний | 1 Гбит | 128 M x 8/пустые | 8 |
| 1 ГБ | Односторонний | 2 Гбит | 128 M x 16/пустые | 4 |
| 2 ГБ | Двухбокие | 1 Гбит | 128 M x 8 / 128 M x 8 | 16 |
| 2 ГБ | Односторонний | 2 Гбит | 128 M x 16/пустые | 8 |
| 4 ГБ | Двухбокие | 2 Гбит | 256 M x 8 / 256 M x 8 | 16 |
| 4 ГБ | Односторонний | 4 Гбит | 512 M x 4/пустые | 8 |
| 8 ГБ | Двухбокие | 4 Гбит | 512 M x 8 / 512 M x 8 | 16 |
Протестированная сторонними партиями память
ТестЫ памяти сторонних производителей на совместимость с системами Intel по требованию производителей памяти.
В таблице ниже перечислены части, которые прошли тестирование во время разработки. Эти номера для part numbers могут быть недоступны в течение всего жизненного цикла продукции.
| Поставщик модулей | Номер модуля | Размер | Скорость модуля (МГц) |
| ADATA* | M3ЗАНИМH3J4130G2C5Z | 2 ГБ | 1333 |
| APACER* | 240P | 1 ГБ | 1333 |
| ELPIDA* | EBJ10UE8BAFA-AG-E | 1 ГБ | 1066 |
| Elpida | EBJ10UE8BDF0 | 1 ГБ | 1333 |
| Elpida | EBJ21UE8BBF0 | 2 ГБ | 1066 |
| Elpida | EBJ21UE8BBF0-DJ-F | 2 ГБ | 1333 |
| Hynix* | HMT112U6BFR8C-G7 | 1 ГБ | 1066 |
| Hynix | HMT112U6TFR8C-H9 | 1 ГБ | 1333 |
| Hynix | HMT125U6BFR8C-G7 | 2 ГБ | 1066 |
| Hynix | HMT125U6BFR8C-H9 | 2 ГБ | 1333 |
| Hynix | HMT351U6AFR8C-H9 | 4 ГБ | 1333 |
| KINGSTON* | HP497156-C01-ELB | 1 ГБ | 1333 |
| Micron* | MT8JTF12864AY | 1 ГБ | 1066 |
| Микрон | MT8JTF12864AZ-1G4F1 | 1 ГБ | 1333 |
| Микрон | MT16JTF25664AY-1G1D1 | 2 ГБ | 1066 |
| Микрон | MT16JTF25664AY-1G4D1 | 2 ГБ | 1333 |
| Микрон | MT16JTF1G64AZ-1G4D1 | 8 ГБ | 1333 |
| QIMONDA* | IMSH1GU13A1F1C | 1 ГБ | 1066 |
| QIMONDA | IMSH2GU13A1F1C | 2 ГБ | 1333 |
| QIMONDA | IMSH51U03A1F1C | 512 МБ | 1066 |
| SAMSUNG* | M378B22873DZ1-CH9 | 1 ГБ | 1333 |
| Samsung | M378B5673FH0-CH9 | 2 ГБ | 1333 |
| Samsung | M378B5273DH0-CH9 | 4 ГБ | 1333 |
| Samsung | M378B2873EH1-CF8 | 1 ГБ | 1066 |
| Samsung | M378B5673DZ1-CF8 | 2 ГБ | 1066 |
