Системная память для системной платы Intel® DH61CR для настольных ПК
Функции системной памяти
Поддерживаемые конфигурации памяти
Протестированная память
Функции системной памяти
На платы имеется два розетки DIMM, которые поддерживают следующие функции памяти:
- Два независимых канала памяти с поддержкой режимов с перемежимом режиме
- Поддержка напряжения памяти DIMM от 1,2 В до 1,8 В
- Поддержка не ECC, небуферных, односторонних или односторонних dimm с организацией x8
- Максимальный объем системной памяти 16 ГБ (с технологией памяти 4 ГБ)
- Минимальная общая системная память: 1 ГБ с использованием модуля 1 Гб x8
- Обнаружение серийного присутствия
- DDR3 1333 МГц и DDR3 SDRAM DIMM 1066 МГц
Для обеспечения полного соответствии со всеми применимыми спецификациями памяти DDR SDRAM, платы должны быть заполнены памятью DIMM, поддерживаюными структуру данных Serial Presence Detect (SPD). Это позволяет BIOS считывать данные SPD и программировать набор микросхем для точной конфигурации параметров памяти для оценки производительности компьютера. Если память, не SPD, установлена, BIOS попытается корректно сконфигурировать настройки памяти, но это может сказаться на производительности и надежности, или dimM не смогут работать в условиях определенной частоты.
Рекомендуемая настройка по умолчанию для напряжения памяти DDR3: 1,5 В. Другие настройки напряжения памяти программы BIOS Setup предоставляются только в целях настройки производительности. Изменение напряжения памяти может (i) привести к снижению стабильности системы и сокращению срок службы системы, памяти и процессора. (ii) привести к сбойу процессора и других компонентов системы; (III) привести к снижению производительности системы; (iv) привести к дополнительному нагреву или другим повреждениям; и (v) повлиять на целостность системных данных.
Корпорация Intel не тестирована и не гарантирует работу процессора сверх его спецификаций. Для получения информации о гарантии на процессоры обратитесь к информации о гарантии процессора.
Поддерживаемые конфигурации памяти
| Емкость DIMM | Конфигурации | Плотность SDRAM | SDRAM Organization — это спереди на стороне или на задней стороне | Количество устройств SDRAM |
| 512 МБ | Односторонний | 1 Гбит | 64 M x 16/пустые | 4 |
| 1 ГБ | Односторонний | 1 Гбит | 128 M x 8/пустые | 8 |
| 1 ГБ | Односторонний | 2 Гбит | 128 M x 16/пустые | 4 |
| 2 ГБ | Двухбокие | 1 Гбит | 128 M x 8 / 128 M x 8 | 16 |
| 2 ГБ | Односторонний | 2 Гбит | 128 M x 16/пустые | 8 |
| 4 ГБ | Односторонний | 2 Гбит | 256 M x 8 / 256 M x 8 | 16 |
| 4 ГБ | Односторонний | 4 Гбит | 512 M x 8/пустые | 8 |
| 8 ГБ | Двухбокие | 4 Гбит | 512 M x 8 / 512 M x 8 | 16 |
Протестированная память
Протестированная сторонними партиями память
ТестЫ памяти сторонних производителей на совместимость с системами Intel по требованию производителей памяти.
В таблице ниже перечислены части, которые прошли тестирование во время разработки. Эти номера для part numbers могут быть недоступны в течение всего жизненного цикла продукции.
| Производитель модуля | Номер модуля | Размер модуля | Скорость модуля | ECC или Non-ECC | Производитель компонентов | Номер детали компонента |
| ADATA* | AX3U1600GB2G9 -2G | 2 ГБ | 1600 МГц | Non-ECC | ||
| ELPIDA* | EBJ10UE8BBF0 | 1 ГБ | 1066 МГц | Non-ECC | 084909K2500 | |
| Elpida | EBJ10UE8BBF0 | 1 ГБ | 1333 МГц | Не ECC | 084909K2500 | |
| Elpida | EBJ21UE8BBF0 | 2 ГБ | 1066 МГц | Non-ECC | 0905AXA9062 | |
| Elpida | EBJ10UE8BBF0 | 2 ГБ | 1333 МГц | Non-ECC | 084909L9500 | |
| Hynix* | HMT112U6BFR8C | 1 ГБ | 1066 МГц | Не ECC | Hynix H5TQ1G83BFR | G70 912A |
| Hynix | HMT112U6BFR8C | 1 ГБ | 1333 МГц | Не ECC | Hynix H5TQ1G836BFB | H9C 909A |
| Hynix | HMT125U6BFR8C | 2 ГБ | 1066 МГц | Не ECC | Hynix H5TQ1G83BFR | G7C 910A |
| Hynix | HMT125U6BFR8C | 2 ГБ | 1333 МГц | Не ECC | ||
| KINGSTON* | HP497156-C01-ELB | 1 ГБ | 1333 МГц | Non-ECC | ElPID J1108BBSE | DJ-F 0903R90E300 |
| Кингстон | BSME1630931 | 2 ГБ | 1333 МГц | Non-ECC | ElPID J1108BABG | DJ-E 085009D2C |
| Micron* | MT8JTF12864AZ | 1 ГБ | 1333 МГц | Не ECC | 90F22 | D9KPT |
| Микрон | MT16JTF25664AY | 2 ГБ | 1066 МГц | Не ECC | 8ZD22 | D9JNL |
| Микрон | MT16JTF25664AZ | 2 ГБ | 1333 МГц | Non-ECC | 90F22 | D9KPT |
| QIMONDA* | MSH51U03A1F1C | 512 МБ | 1066 МГц | Non-ECC | IDSE1S-03A1F1C-10F | FSB31577 |
| QIMONDA | IMSH1GU13A1F1C | 1 ГБ | 1066 МГц | Не ECC | IDSH51-03A1F1D-10F | FSS36541 |
| QIMONDA | IMSH2GU13A1F1C | 2 ГБ | 1333 МГц | Не ECC | IDSH1G-03A1F1C-13H | Fss15499 |
| SAMSUNG* | M378B2873EH1 | 1 ГБ | 1066 МГц | Не ECC | SEC 849 HC F8 | K4B1G08461 |
| Samsung | M378B2873DZ1 | 1 ГБ | 1333 МГц | Не ECC | SEC 916 HC H9 | K4B1G08460 |
| Samsung | M378B5673EH1 | 2 ГБ | 1066 МГц | Не ECC | SEC 846 HC F8 | K4B1G0846E |
| Samsung | M378B5673DZ1 | 2 ГБ | 1333 МГц | Non-ECC | SEC 843 HC F8 | K4B1G08410 |
