Системная память для системной платы Intel® D915GAV для настольных ПК
Функции системной памяти
Платы имеют четыре розетки DIMM и поддерживают следующие функции памяти:
- 2,6 В (только) DDR SDRAM DIMM с контактами со позяти
- Небуферные, односторонние или двухбокие dimm со следующим ограничением: двухбокие DIMM с организацией x16 не поддерживаются
- Общая общая объем системной памяти 4 ГБ
- Минимальный объем системной памяти: 128 МБ
- DimM, не ECC
- Обнаружение серийного присутствия
- DDR 400 МГц и DDR SDRAM DIMM 333 МГц
| Заметки |
|
Поддерживаемые комбинации частоты системной шины и памяти
| Для использования этого типа DIMM: | Частота системной шины процессора должна быть: |
| DDR400 | 800 МГц |
| DDR333 (примечание) | 800 или 533 МГц |
| Примечание | При использовании системного процессора с частотой 800 МГц, память DDR 333 работает с тактовой частотой 320 МГц. Это минимизирует задержки работы системы для оптимизации пропускной способности системы. |
Поддерживаемые конфигурации памяти
| Емкость DIMM | Конфигурации | Плотность SDRAM | Организация SDRAM | Количество Устройства SDRAM |
| 128 МБ | Ss | 256 Мбит | 16 M x 16/пустые | 4 |
| 256 МБ | Ss | 256 Мбит | 32 М x 8/пустые | 8 |
| 256 МБ | Ss | 512 Мбит | 32 М x 16/пустые | 4 |
| 512 МБ | Ds | 256 Мбит | 32 M x 8/32 M x 8 | 16 |
| 512 МБ | Ss | 512 Мбит | 64 M x 8/пустые | 8 |
| 512 МБ | Ss | 1 Гбит | 64 M x 16/пустые | 4 |
| 1024 МБ | Ds | 512 Мбит | 64 M x 8/64 M x 8 | 16 |
| 1024 МБ | Ss | 1 Гбит | 128 M x 8/пустые | 8 |
| 2048 МБ | Ds | 1 Гбит | 128 M x 8/128 M x 8 | 16 |
| Примечание | Во второй столбце DS обозначает двухбокие модули памяти (два ряда SDRAM), а SS — модули памяти с одной стороны (один ряд SDRAM). |
Протестированная память
Протестированная сторонними производителями память возникает по требованию поставщиков и тестется в независимом доме памяти, который не является частью корпорации Intel. Тестирование памяти было протестировано в Computer Memory Test Labs* (CMTL).
Протестированная память поставщика
Корпорация Intel поставляет поставщикам памяти, которые участвуют в этой программе, общий план тестирования памяти, который необходимо использовать для проверки стабильности памяти. Память, указанная в данном списке, тестируется поставщиком или корпорацией Intel с использованием этого плана тестирования. Эти номера для part,возможно, не всегда будут доступны в течение всего жизненного цикла продукции.
В таблице ниже перечислены части, которые прошли тестирование, проведенное с помощью программы самотестации Intel для системной платы Intel® D915GAV для настольных ПК.
| Поставщик модулей Номер модуля | Размер модуля (МБ) | Скорость модуля (МГц) | Задержки CL-tRCD-tRP | ECC или Не ECC? | Dimm Ведомости | Модуль Код даты | Используемый компонент Номер компской части |
| A-DATA* MDOEL6F3G31Y0D1E0Z | 256 МБ | 400 | 3-4-4 | Non-ECC | SSx8 | 0527 | Elpida* DDR-DD2508ARTA |
| A-DATA MDOHY6F3G3X10BZE0Z | 256 МБ | 400 | 3-3-3 | Non-ECC | SSx8 | 510A | Hynix* DDR-HY5DU56822DT-D43 |
| Технологии Infineon* HYS64D128320HU-5-B | 1 ГБ | 400 | 3-3-3 | Не ECC | DSx8 | 0445 | Технологии Infineon HYB25D512800BE-5 |
| Технологии Infineon HYS64D64320HU-5-C | 512 МБ | 400 | 3-3-3 | Не ECC | DSx8 | 0436 | Технологии Infineon HYB25D512800CE-5 |
| Технологии Infineon HYS64D32300HU-5-C | 256 МБ | 400 | 3-3-3 | Не ECC | SSx8 | 0432 | Технологии Infineon HYB25D512800CE-5 |
| Kingston Technology* KVR400X64C3A/1G | 1 ГБ | 400 | 3-3-3 | Не ECC | DSx8 | 0518 | Infineon HYB25D512800BE-5 |
| Технологии Kingston KVR400X64C3A/1G | 1 ГБ | 400 | 3-3-3 | Не ECC | DSx8 | 449 | Samsung* K4H510838B-TCCC |
| Технологии Kingston KVR400X64C3A/512 | 512 МБ | 400 | 3-3-3 | Не ECC | SSx8 | 0518 | Micron* MT46V64M8-5B |
| Технологии Kingston KVR400X64C3A/512 | 512 МБ | 400 | 3-3-3 | Non-ECC | DSx8 | 0000 | Samsung* K4H560838F-TCCC |
| Технологии Kingston KVR400X64C3A/256 | 256 МБ | 400 | 3-3-3 | Non-ECC | SSx8 | 0000 | Промокод* V58C2256804SCT5B |
| Micron* MT16VDDT12864AY-40BD3 | 1024 МБ | 400 | 3-3-3 | Не ECC | DSx8 | 0528 | Микрон MT46V64M8P |
| Микрон MT16VDDF6464AY-40BG1 | 512 МБ | 400 | 3-3-3 | Не ECC | DSx8 | 0540 | Микрон MT46V32M8BG |
| Микрон MT8VDDT6464AG-40BD1 | 512 МБ | 400 | 3-3-3 | Не ECC | SSx8 | 0534 | Микрон MT46V64M8TG |
| Микрон MT16VDDT6464AG-40BG6 | 512 МБ | 400 | 3-3-3 | Не ECC | DSx8 | 0536 | Микрон MT46V32M8TG |
| Микрон MT16VDDT6464AY-40BG6 | 512 МБ | 400 | 3-3-3 | Non-ECC | DSx8 | 0534 | Микрон MT46V32M8P |
| Микрон MT16VDDT6464AG-40BG4 | 512 МБ | 400 | 3-3-3 | Не ECC | DSx8 | 0508 | Микрон MT46V32M8TG |
| Микрон MT16VDDT6464AG-40BG5 | 512 МБ | 400 | 3-3-3 | Non-ECC | DSx8 | 0535 | Микрон MT46V32M8TG |
| Микрон MT8VDDT6464AG-40BD3 | 512 МБ | 400 | 3-3-3 | Non-ECC | SSx8 | 0523 | Микрон MT46V64M8TG |
| Микрон MT8VDDT6464AY-40BD3 | 512 МБ | 400 | 3-3-3 | Не ECC | SSx8 | 0534 | Микрон MT46V64M8P |
| Микрон MT8VDDT3264AG-40BG6 | 256 МБ | 400 | 3-3-3 | Не ECC | SSx8 | 0536 | Микрон MT46V32M8TG |
| Микрон MT8VDDT3264AG-40BG5 | 256 МБ | 400 | 3-3-3 | Не ECC | SSx8 | 0533 | Микрон MT46V32M8TG |
| Микрон MT8VDDF3264AY-40BG1 | 256 МБ | 400 | 3-3-3 | Не ECC | SSx8 | 0540 | Микрон MT46V32M8BG |
| Samsung* M368L2923DUN-CCC | 1 ГБ | 400 | 3-3-3 | Non-ECC | DSx8 | 0540 | Samsung K4H510838D-UCCC |
| Samsung M368L2923CUN-CCC | 1 ГБ | 400 | 3-3-3 | Не ECC | DSx8 | 0509 | Samsung K4H510838C-UCCC |
| Samsung M368L6523DUD-CCC | 512 МБ | 400 | 3-3-3 | Non-ECC | SSx8 | 0549 | Samsung K4H510838D-UCCC |
| Samsung M368L6423ETN-CCC | 512 МБ | 400 | 3-3-3 | Non-ECC | DSx8 | 0509 | Samsung K4H560838E-TCCC |
| Samsung M368L6423FTN-CCC | 512 МБ | 400 | 3-3-3 | Non-ECC | DSx8 | 0506 | Samsung K4H560838F-TCCC |
| Samsung M368L6523CUS-CCC | 512 МБ | 400 | 3-3-3 | Не ECC | SSx8 | 0503 | Samsung K4H510838C-UCCC |
| Samsung M368L3223FTN-CCC | 256 МБ | 400 | 3-3-3 | Не ECC | SSx8 | 0506 | Samsung K4H560838F-TCCC |
| Samsung M368L3324CUS-CCC | 256 МБ | 400 | 3-3-3 | Не ECC | SSx16 | 0506 | Samsung K4H511638C-UCCC |
| Samsung M368L3223ETN-CCC | 256 МБ | 400 | 3-3-3 | Не ECC | SSx8 | 0506 | Samsung K4H560838E-TCCC |
| Технологии Infineon HYS64D128320HU-6-B | 1 ГБ | 333 | 2.5-3-3 | Не ECC | DSx8 | 0434 | Технологии Infineon HYB25D512800BE-6 |
| Технологии Infineon HYS64D64320HU-6-C | 512 МБ | 333 | 2.5-3-3 | Не ECC | DSx8 | 0436 | Технологии Infineon HYB25D512800CE-6 |
| Технологии Infineon HYS64D32300HU-6-C | 256 МБ | 333 | 2.5-3-3 | Non-ECC | SSx8 | 0436 | Технологии Infineon HYB25D512800CE-6 |
| Микрон MT16VDDT12864AG-335D1 | 1024 МБ | 333 | 2.5-3-3 | Не ECC | DSx8 | 0537 | Микрон MT46V64M8TG |
| Микрон MT8VDDT6464AG-335D3 | 512 МБ | 333 | 2.5-3-3 | Non-ECC | SSx8 | 0513 | Микрон MT46V64M8TG |
| Микрон MT8VDDT6464AG-335D2 | 512 МБ | 333 | 2.5-3-3 | Не ECC | SSx8 | 0505 | Микрон MT46V64M8TG |
| Микрон MT8VDDT6464AG-335D1 | 512 МБ | 333 | 2.5-3-3 | Не ECC | SSx8 | 0450 | Микрон MT46V64M8TG |
| Микрон MT16VDDT6464AG-335G4 | 512 МБ | 333 | 2.5-3-3 | Не ECC | DSx8 | 0408 | Микрон MT46V32M8TG |
| Микрон MT8VDDT3264AG-33G4 | 256 МБ | 333 | 2.5-3-3 | Non-ECC | SSx8 | 0540 | Микрон MT46V32M8TG |
| Микрон MT8VDDT3264AG-335G4 | 256 МБ | 333 | 2.5-3-3 | Не ECC | SSx8 | 0450 | Микрон MT46V32M8TG |
| Микрон MT8VDDT3264AG-335G6 | 256 МБ | 333 | 2.5-3-3 | Не ECC | SSx8 | 0513 | Микрон MT46V32M8TG |
| Samsung M368L5623MTN-CB3 | 2 ГБ | 333 | 2.5-3-3 | Non-ECC | DSx8 | 0508 | Samsung K4H1G0838M-TCB3 |
