Системная память для системной платы Intel® DP67BG для настольных ПК
На платы имеется четыре розетки DIMM, которые поддерживают следующие функции памяти:
- 1,35 В DDR3 SDRAM DIMM (новая спецификация JEDEC)
- 1,5 В DDR3 SDRAM DIMM
- Два независимых канала памяти с поддержкой режимов с перемежимом режиме
- Небуферные, односторонние или двухбокие dimm со следующим ограничением: двухбокие dimm с организацией x16 не поддерживаются
- Максимальный объем системной памяти 32 ГБ (с использованием технологии памяти 4 ГБ)
- Минимальная общая системная память: 1 ГБ с использованием модуля 512 МБ x16
- DimM, не ECC
- Обнаружение серийного присутствия
- DDR3 +1600 МГц, 1333 МГц и DDR3 1066 МГц SDRAM DIMM
- Поддержка профилей производительности XMP версии 1.2 для скоростей памяти свыше 1600 МГц
Использование dimm с рейтингом напряжения выше 1,65 В может повредить процессор.
Размер 32-битных операционных систем не может не более 4 ГБ памяти. Данные операционные системы будут сообщать менее 4 ГБ, поскольку память используется дополнительными видеокартами и другими системными ресурсами.
Для обеспечения полного соответствии со всеми применимыми спецификациями памяти Intel® SDRAM, платы должны быть заполнены dimm, поддерживаюными структуру данных Serial Presence Detect (SPD). Если ваши модули памяти не поддерживают SPD, вы увидите на экране уведомление об этом при в режиме питания. BioS попытается сконфигурировать контроллер памяти для нормальной работы.
1,5 В — это рекомендуемая настройка по умолчанию для напряжения памяти DDR3. Другие настройки напряжения памяти программы BIOS Setup предоставляются только в целях настройки производительности. Изменение напряжения памяти может (i) привести к снижению стабильности системы и сокращению срок службы системы, памяти и процессора. (II) привести к сбойу процессора и других компонентов системы; (III) привести к снижению производительности системы; (iv) привести к дополнительному нагреву или другим повреждениям; и (v) повлиять на целостность системных данных.
Корпорация Intel не тестировали и не гарантирует работу процессора сверх его спецификаций. Для получения информации о гарантии на процессоры обратитесь к информации о гарантии процессора.
Поддерживаемые конфигурации памяти
| Емкость IMM1 | Конфигурация1 | Плотность SDRAM1 | SDRAM Organization — спереди/ на стороне1 | Количество устройств SDRAM1 |
| 512 МБ | Односторонний | 1 Гбит | 64 M x 16/пустые | 4 |
| 1 ГБ | Односторонний | 1 Гбит | 128 M x 8/пустые | 8 |
| 1 ГБ | Односторонний | 2 Гбит | 128 M x 16/пустые | 4 |
| 2 ГБ | Односторонний | 1 Гбит | 128 M x 8 / 128 M x 8 | 16 |
| 2 ГБ | Односторонний | 2 Гбит | 128 M x 16/пустые | 8 |
| 4 ГБ | Односторонний | 2 Гбит | 256 M x 8 / 256 M x 8 | 16 |
| 4 ГБ | Односторонний | 4 Гбит | 512 M x 8/пустые | 8 |
| 8 ГБ | Двухбокие | 4 Гбит | 512 M x 8 / 512 M x 8 | 16 |
ТестЫ памяти сторонних производителей на совместимость с системами Intel по требованию производителей памяти.
В таблице ниже перечислены части, которые прошли тестирование во время разработки. Эти номера для part numbers могут быть недоступны в течение всего жизненного цикла продукции.
| Поставщик модулей1 | Модуль, номер 1 | Модуль размером 1 | Скорость модуля [МГц]1 | Задержка CL-tRCD-tRP1 | DIMM Organization1 | Код даты модуля1 | Номер компонента 1 |
| Adata | AX3U1600PB2G8-2P | 2 ГБ | 1600 | 8/8/2008 | x16 | Н/п | AX3U1600PB2G8-2P |
| Adata | AX3U1866PB2G8-DP2 | 2 ГБ | 1866 | 8/8/2008 | x16 | Н/п | AX3U1866PB2G8-DP2 |
| Atp | VQ1333B884 | 2 ГБ | 1333 | 9/9/2009 | 2Rx8 | Н/п | VQ1333B884 |
| Corsair | CMT4GX3M2A1600C7ver:2.3 | 2 ГБ | 1600 | 7/7/2007 | Н/п | Н/п | CMT4GX3M2A1600C7, ver:2.3 |
| Corsair | CMT4GX3M2A1866C9 ver:7.1 | 2 ГБ | 1866 | 9/9/2009 | Н/п | Н/п | CMT4GX3M2A1866C9 ver:7.1 |
| Hynix | HMT112U6BFR8C-G7 | 1 ГБ | 1066 | 7/7/2007 | x8 | 820 | HMT112U6BFR8C-G7 |
| Hynix | HMT112U6AFP8C-H9 | 1 ГБ | 1333 | 9/9/2009 | x8 | 824 | HMT112U6AFP8C-H9 |
| Hynix | HMT125U7AFP8C-G7T0 | 2 ГБ | 1066 | 7/7/2007 | 2Rx8 | 819 | HMT125U6AFP8C-G7T0 |
| Hynix | HMT125U6BFR8C-H9 | 2 ГБ | 1333 | 9/9/2009 | 2Rx8 | 921 | HMT125U6BFR8C-H9 |
| Hynix | HMT351U6AFR8C-G7 | 4 ГБ | 1066 | 7/7/2007 | 2Rx8 | 931 | HMT351U6AFR8C-G7 |
| Hynix | HMT351U6AFR8C-H9 | 4 ГБ | 1333 | 9/9/2009 | 2Rx8 | 848 | HMT351U6AFR8C-H9 |
| Кингстон | KHX2133C9AD3T1K2/4GX | 2 ГБ | 2133 | 9/11/2009 | Н/п | Н/п | KHX2133C9AD3T1K2/4GX |
| Кингстон | KHX250C9D3T1F3/6GX | 2 ГБ | 2250 | 9/11/2009 | Н/п | Н/п | KHX250C9D3T1F3/6GX |
| Микрон | MT8JTF12864AY-1G1D1 | 1 ГБ | 1066 | 7/7/2007 | x8 | Н/п | MT8JTF12864AY-1G1D1 |
| Микрон | MT8JTF12864AY-1G4D1 | 1 ГБ | 1333 | 9/9/2009 | x8 | Н/п | MT8JTF12864AY-1G4D1 |
| Микрон | MT16JTF25664AY-1G1D1 | 2 ГБ | 1066 | 7/7/2007 | 2Rx8 | Н/п | MT16JTF25664AY-1G1D1 |
| Микрон | MT16JTF25664AZ-1G4F1 | 2 ГБ | 1333 | 9/9/2009 | 2Rx8 | Н/п | MT16JTF25664AZ-1G4F1 |
| Микрон | MT16JTF51264AZ-1G1D1 | 4 ГБ | 1066 | 7/7/2007 | 2Rx8 | Н/п | MT16JTF51264AZ-1G1D1 |
| Микрон | MT16JTF51264AZ-1G4D | 4 ГБ | 1333 | 9/9/2009 | 2Rx8 | Н/п | MT16JTF51264AZ-1G4D |
| Микрон | MT16JTF1G64AZ-1G4D1 | 8 ГБ | 1333 | 9/9/2009 | 2Rx8 | 913 | MT41J512M8RA-15E:D |
| Samsung | M378B2873DZ1-CF8 | 1 ГБ | 1066 | 7/7/2007 | x8 | 816 | M378B2873DZ1-CF8 |
| Samsung | M378B2873EH1-CH9 | 1 ГБ | 1333 | 9/9/2009 | x8 | 932 | M378B2873EH1-CH9 |
| Samsung | M378B5673DZ1-CF8 | 2 ГБ | 1066 | 7/7/2007 | 2Rx8 | 810 | M378B5673DZ1-CF8 |
| Samsung | M378B5673DZ1-CH9 | 2 ГБ | 1333 | 9/9/2009 | 2Rx8 | 930 | M378B5673DZ1-CH9 |
| Samsung | M378B5273BH1-CF8 | 4 ГБ | 1066 | 7/7/2007 | 2Rx8 | 853 | M378B5273BH1-CF8 |
| Samsung | M378B5273BH1-CF8 | 4 ГБ | 1333 | 9/9/2009 | 2Rx8 | 853 | M378B5273BH1-CF8 |
