Системная память для системной платы Intel® D945GCLF
Оглавлени
Функции системной памяти
Плата оснащена 1 240-контактным разъемом DIMM и поддерживает следующие характеристики памяти:
- только модули памяти DIMM DDR2 SDRAM 1,8 с позолоченными контактами
- Односторонние или двухсторонние модули DIMM без буферизации со следующими ограничениями: двухсторонние модули DIMM с Организацией x16 не поддерживаются
- максимальный общий объем системной памяти — 2 ГБ
- Минимальный общий объем системной памяти: 128 МБ
- Модули памяти DIMM без кода коррекции ошибок
- Обнаружение последовательного присутствия
- МОДУЛИ памяти DDR2 533 МГц или DDR2 400 МГц SDRAM (DDR2 800 МГц и DDR2 667 МГц) прошли проверку на тактовую частоту не менее 533 МГц)
| Примечание | Чтобы обеспечить полную совместимость со всеми применимыми спецификациями памяти DDR2 SDRAM, плата должна содержать модули DIMM, поддерживающие структуру данных Serial Presence Detect (SPD). Это позволяет BIOS считывать данные SPD и программировать набор микросхем, чтобы точно настроить настройки памяти для достижения оптимальной производительности. Если на компьютере установлена не микроspd-блок памяти, BIOS попытается правильно сконфигурировать настройки памяти, но производительность и надежность могут быть нарушены, или модули DIMM могут не работать при определенных частоте. |
Поддерживаемые конфигурации модулей DIMM
В таблице ниже приведен список поддерживаемых конфигураций модулей DIMM:
| Емкость модулей DIMM | Конфигурирован | Плотность SDRAM | Организация SDRAM — передняя сторона/задняя сторона | Количество устройств SDRAM |
| 128 МБ | МИН | 256 Мбит | 16 МБ x 16/пусто | 4 |
| 256 МБ | МИН | 256 Мбит | 32 м x 8/пусто | 8 |
| 256 МБ | МИН | 512 Мбит | 32 м x 16/пусто | 4 |
| 512 МБ | Служба | 256 Мбит | 32 м x 8/32 м x 8 | 16 |
| 512 МБ | МИН | 512 Мбит | 64 м x 8/пусто | 8 |
| 512 МБ | МИН | 1 Гбит | 64 м x 16/пусто | 4 |
| 1024 МБ | Служба | 512 Мбит | 64 м x 8/64 м x 8 | 16 |
| 1024 МБ | МИН | 1 Гбит | 128 м x 8/пусто | 8 |
| 2048 МБ | Служба | 1 Гбит | 128 м x 8/128 м x 8 | 16 |
| Примечание | Во втором столбце «DS» обозначает двусторонние модули памяти (содержащие две строки памяти SDRAM), а «SS» — это односторонние модули памяти (содержащие устройства SDRAM на одном ряду). |
Протестированные модули памяти
В таблице приведен список компонентов, прошедших тестирование в процессе разработки. Эти номера деталей могут быть недоступны в рамках жизненного цикла продукции.
| Поставщик модуля/номер детали модуля | Размер модуля | Тактовая частота модуля (МГц) | Код коррекции ошибок или без ECC? |
| ADATA M20AD5G3I4176I1C52 | 1 ГБ | 667 | Без кода коррекции ошибок |
| ADATA M20HY5G3I4170L1C5Z | 1 ГБ | 667 | Без кода коррекции ошибок |
| Апацер AU01GE800C5NBGC | 1 ГБ | 800 | Без кода коррекции ошибок |
| Corsair VS1GB533D2 | 1 ГБ | 533 | Без кода коррекции ошибок |
| Corsair VS1GB667D2 | 1 ГБ | 667 | Без кода коррекции ошибок |
| Corsair VS256MB533D2 | 256 МБ | 533 | Без кода коррекции ошибок |
| Corsair VS512MB533D2 | 512 МБ | 533 | Без кода коррекции ошибок |
| Corsair VS512MB667D2 | 512 МБ | 667 | Без кода коррекции ошибок |
| Решающее CT12864AA 667.8 ФГ | 1 ГБ | 667 | Без кода коррекции ошибок |
| Решающее CT6464AA 667.4 ФГ | 512 МБ | 667 | Без кода коррекции ошибок |
| Жеил G216E2864T2AG0ABT7LAA8662 | 1 ГБ | 800 | Без кода коррекции ошибок |
| 2 МОДУЛЯ HYNIX HYMP532U64CP6-Y5 AB | 256 МБ | 667 | Без кода коррекции ошибок |
| КИНГМАКС KLBC28F — A8KH4 | 512 МБ | 533 | Без кода коррекции ошибок |
| Kingston KVR533D2N4/1 ГБ | 1 ГБ | 533 | Без кода коррекции ошибок |
| Kingston KVR533D2N4/256 | 256 МБ | 533 | Без кода коррекции ошибок |
| Kingston KVR533D2N4/512 | 512 МБ | 533 | Без кода коррекции ошибок |
| Kingston KVR667D2N5/1 ГБ | 1 ГБ | 667 | Без кода коррекции ошибок |
| Kingston KVR667D2N5/512 | 512 МБ | 667 | Без кода коррекции ошибок |
| Kingston KVR800D2N5/1 ГБ | 1 ГБ | 800 | Без кода коррекции ошибок |
| Леадмакс LRMP512U64A8 — S6 | 1 ГБ | 800 | Без кода коррекции ошибок |
| Леадмакс LRMP564U64A8 — y5 | 512 МБ | 667 | Без кода коррекции ошибок |
| Мкм MT16HTF12864AY — 667B3 | 1 ГБ | 667 | Без кода коррекции ошибок |
| Мкм MT16HTF129644AY — 667B3 | 512 МБ | 667 | Без кода коррекции ошибок |
| Мкм MT16HTF6464AY — 53EB2 | 512 МБ | 533 | Без кода коррекции ошибок |
| Мкм MT4HTF3264AY — 667B2 | 256 МБ | 667 | Без кода коррекции ошибок |
| Мкм MT4HTF3264AY — 667D3 | 256 МБ | 667 | Без кода коррекции ошибок |
| Мкм MT4HTF6464AY — 667G1 | 512 МБ | 667 | Без кода коррекции ошибок |
| Мкм MT8HTF12864AY — 667G1 | 1 ГБ | 667 | Без кода коррекции ошибок |
| Мкм MT8HTF6464AY — 53ED7 | 512 МБ | 533 | Без кода коррекции ошибок |
| Мкм MT8HTF6464AY — 80ED4 | 512 МБ | 800 | Без кода коррекции ошибок |
| Рамаксел RML1060HC46D5F-533 | 256 МБ | 533 | Без кода коррекции ошибок |
| Рамаксел RML1660LA46D57-667 | 256 МБ | 667 | Без кода коррекции ошибок |
| Рамаксел RML1660SB46D5F — 533A | 256 МБ | 533 | Без кода коррекции ошибок |
| SAMSUNG M378T2953CZ3 — CE6 | 1 ГБ | 667 | Без кода коррекции ошибок |
| Необычный 178190-783 | 256 МБ | 667 | Без кода коррекции ошибок |
| Необычный 503696-8574 | 1 ГБ | 667 | Без кода коррекции ошибок |
| Необычный 505037-3259 | 512 МБ | 667 | Без кода коррекции ошибок |
| ВДАТА M2YVD2G3H31P6I1B52 | 512 МБ | 533 | Без кода коррекции ошибок |
| Связанные темы |
| DDR, DDR2 и память DDR3 |
| Один, два, тройных, четырехъядерных и Flex режимы памяти |
| Устранение проблем системной памяти |
