Системная память для системной платы Intel® DH61BE
Функции системной памяти
Поддерживаемые конфигурации памяти
Протестированные модули памяти
Функции системной памяти
На системной плате имеется два разъема для модулей памяти DIMM и поддерживаются следующие характеристики памяти:
- Два независимых канала памяти с поддержкой режима чередования
- Поддержка напряжения памяти DIMM 1,2 в — 3,3 в
- Поддержка односторонних и двусторонних модулей DIMM без буферизации с технологией x8
- максимальный общий объем системной памяти 16 ГБ (с технологией памяти объемом 4 ГБ)
- Минимальный общий объем системной памяти: 1 ГБ при использовании модуля x8 с 1 ГБ
- Обнаружение последовательного присутствия
- Модули памяти DDR3 1333 МГц и DDR3 1066 МГц с памятью SDRAM
Для полной совместимости со всеми поддерживаемыми спецификациями памяти DDR SDRAM системная плата должна содержать модули DIMM, поддерживающие структуру данных Serial Presence Detect (SPD). Это позволяет BIOS считывать данные SPD и программировать набор микросхем, чтобы точно настроить настройки памяти для достижения оптимальной производительности. Если на компьютере установлена не микроspd-блок памяти, BIOS попытается правильно сконфигурировать настройки памяти, но производительность и надежность могут быть нарушены, или модули DIMM могут не работать при определенных частоте.
Рекомендуемое и установленное по умолчанию значение для напряжения DDR3 в накопителе составляет 1,5 р. Другие настройки напряжения памяти в программе BIOS Setup предназначены только для целей настройки производительности. Изменение напряжения памяти может (i) привести к ухудшению стабильности системы и сокращению срока службы системы, модулей памяти и процессора; 2) привести к неисправности процессора и других компонентов системы; 3) привести к снижению производительности системы. (IV) привести к перегреву или другим повреждениям; и (v) повлиять на целостность данных в системе.
Корпорация Intel не тестировала и не гарантирует работу процессора по сравнению с его спецификациями. За информацией о гарантийной поддержке процессоров обратитесь к информации о гарантии процессора.
Поддерживаемые конфигурации памяти
| Емкость модулей DIMM | Конфигурирован | Плотность SDRAM | Организация SDRAM — передняя сторона/задняя сторона | Количество устройств SDRAM |
| 512 МБ | Одна сторона | 1 Гбит | 64 м x 16/пусто | 4 |
| 1 ГБ | Одна сторона | 1 Гбит | 128 м x 8/пусто | 8 |
| 1 ГБ | Одна сторона | 2 Гбит | 128 м x 16/пусто | 4 |
| 2 ГБ | Двусторонняя | 1 Гбит | 128 м x 8/128 м x 8 | 16 |
| 2 ГБ | Одна сторона | 2 Гбит | 128 м x 16/пусто | 8 |
| 4 ГБ | Двусторонняя | 2 Гбит | 256 м x 8/256 м x 8 | 16 |
| 4 ГБ | Одна сторона | 4 Гбит | 512 м x 8/пусто | 8 |
| 8 ГБ | Двусторонняя | 4 Гбит | 512 м x 8/512 м x 8 | 16 |
Протестированные модули памяти сторонних производителей
В таблице приведен список компонентов, прошедших тестирование в процессе разработки. Эти номера деталей могут быть недоступны в рамках жизненного цикла продукции.
| Производитель модуля | Номер детали модуля | Размер модуля | Тактовая частота модуля | Код коррекции ошибок (ECC) или без ECC | Производитель компонента | Номер детали компонента |
| ADATA | AX3U1600GB2G9-2G | 2 ГБ | 1600 МГц | Без кода коррекции ошибок | ||
| елпида | EBJ10UE8BBF0 | 1 ГБ | 1066 МГц | Без кода коррекции ошибок | 084909K2500 | |
| елпида | EBJ10UE8BBF0 | 1 ГБ | 1333 МГц | Без кода коррекции ошибок | 084909K2500 | |
| елпида | EBJ21UE8BBF0 | 2 ГБ | 1066 МГц | Без кода коррекции ошибок | 0905AXA9062 | |
| елпида | EBJ10UE8BBF0 | 2 ГБ | 1333 МГц | Без кода коррекции ошибок | 084909L9500 | |
| 2 модуля Hynix | HMT112U6BFR8C | 1 ГБ | 1066 МГц | Без кода коррекции ошибок | 2 модуля Hynix H5TQ1G83BFR | G70 912A |
| 2 модуля Hynix | HMT112U6BFR8C | 1 ГБ | 1333 МГц | Без кода коррекции ошибок | 2 модуля Hynix H5TQ1G836BFB | H9C 909A |
| 2 модуля Hynix | HMT125U6BFR8C | 2 ГБ | 1066 МГц | Без кода коррекции ошибок | 2 модуля Hynix H5TQ1G83BFR | G7C 910A |
| 2 модуля Hynix | HMT125U6BFR8C | 2 ГБ | 1333 МГц | Без кода коррекции ошибок | ||
| KINGSTON | HP497156-C01-ЮРИДИЧЕСКИЙ ОТДЕЛ | 1 ГБ | 1333 МГц | Без кода коррекции ошибок | Елпид J1108BBSE | ДИДЖЕЙ-F 0903R90E300 |
| KINGSTON | BSME1630931 | 2 ГБ | 1333 МГц | Без кода коррекции ошибок | Елпид J1108BABG | ДИДЖЕЙ-E 085009D2C |
| Micron | MT8JTF12864AZ | 1 ГБ | 1333 МГц | Без кода коррекции ошибок | 90F22 | D9KPT |
| Micron | MT16JTF25664AY | 2 ГБ | 1066 МГц | Без кода коррекции ошибок | 8ZD22 | D9JNL |
| Micron | MT16JTF25664AZ | 2 ГБ | 1333 МГц | Без кода коррекции ошибок | 90F22 | D9KPT |
| кимонда | MSH51U03A1F1C | 512 МБ | 1066 МГц | Без кода коррекции ошибок | IDSE1S-03A1F1C-10F | FSB31577 |
| кимонда | IMSH1GU13A1F1C | 1 ГБ | 1066 МГц | Без кода коррекции ошибок | IDSH51-03A1F1D-10F | FSS36541 |
| кимонда | IMSH2GU13A1F1C | 2 ГБ | 1333 МГц | Без кода коррекции ошибок | IDSH1G-03A1F1C-13H | Fss15499 |
| SAMSUNG | M378B2873EH1 | 1 ГБ | 1066 МГц | Без кода коррекции ошибок | С 849 HC F8 | K4B1G08461 |
| SAMSUNG | M378B2873DZ1 | 1 ГБ | 1333 МГц | Без кода коррекции ошибок | С 916 HC H9 | K4B1G08460 |
| SAMSUNG | M378B5673EH1 | 2 ГБ | 1066 МГц | Без кода коррекции ошибок | С 846 HC F8 | K4B1G0846E |
| SAMSUNG | M378B5673DZ1 | 2 ГБ | 1333 МГц | Без кода коррекции ошибок | С 843 HC F8 | K4B1G08410 |
