Системная память для системной платы Intel® для настольных ПК D915GLVG

Документация

Совместимость

000007237

04.02.2020

Функции системной памяти

Платы имеют четыре разъема для модулей памяти DIMM и поддерживают следующие характеристики памяти:

  • только модули памяти DIMM типа DDR SDRAM 2,5 с позолоченными контактами
  • Небуферизованные, односторонние и двухсторонние модули DIMM со следующими ограничениями: двухсторонние модули DIMM с разработкой x16 не поддерживаются
  • максимальный общий объем системной памяти — 4 ГБ
  • Минимальный общий объем системной памяти: 128 МБ
  • Модули памяти DIMM без кода коррекции ошибок
  • Обнаружение последовательного присутствия
  • МОДУЛИ памяти DDR 400 МГц и DDR 333 МГц SDRAM
ПримечаниеДля полной совместимости со всеми поддерживаемыми спецификациями памяти DDR SDRAM системная плата должна содержать модули DIMM, поддерживающие структуру данных Serial Presence Detect (SPD). Это позволяет BIOS считывать данные SPD и программировать набор микросхем, чтобы точно настроить настройки памяти для достижения оптимальной производительности. Если на компьютере установлена не микроspd-блок памяти, BIOS попытается правильно сконфигурировать настройки памяти, но производительность и надежность могут быть нарушены, или модули DIMM могут не работать при определенных частоте.

Примечание для интеграторов

Можно установить модули размером 4 2048 МБ (2 ГБ) в общей сложности (8 ГБ системной памяти), однако доступно только 4 ГБ адресного пространства.

Поддерживаемые комбинации частоты системной шины и скорости памяти

Для использования модулей DIMM этого типа...Частота системной шины процессора должна составлять...
DDR 400800 МГц
DDR 333 (Примечание)800 или 533 МГц
ПримечаниеПри использовании процессора с частотой системной шины 800 МГц память DDR 333 синхронизируется при частоте 320 МГц. Это минимизирует задержки системы для оптимизации пропускной способности системы.

Поддерживаемые конфигурации модулей DIMM

Емкость модулей DIMMКонфигурированПлотность SDRAMОрганизация SDRAM — передняя сторона/задняя сторонаКоличество устройств SDRAM
128 МБМИН256 Мбит16 МБ x 16/пусто4
256 МБМИН256 Мбит32 м x 8/пусто8
256 МБМИН512 Мбит32 м x 16/пусто4
512 МБСлужба256 Мбит32 м x 8/32 м x 816
512 МБМИН512 Мбит64 м x 8/пусто8
512 МБМИН1 Гбит64 м x 16/пусто4
1024 МБСлужба512 Мбит64 м x 8/64 м x 816
1024 МБМИН1 Гбит128 м x 8/пусто8
2048 МБСлужба1 Гбит128 м x 8/128 м x 816
ПримечаниеВо втором столбце DS — это двухсторонние модули памяти (содержащие две строки памяти SDRAM), а SS — односторонние модули памяти (в которых одна строка SDRAM).

Протестированные модули памяти

Самостоятельная Протестированная память для поставщиков

Корпорация Intel предоставляет поставщикам памяти, участвующим в программе, Стандартный план тестирования памяти, используемый в качестве базового извлечения стабильности памяти. Перечисленные здесь модули памяти были протестированы поставщиком памяти или корпорацией Intel с использованием данного плана тестирования. Эти номера деталей могут быть недоступны в рамках жизненного цикла продукции.

В таблице приведен список компонентов, прошедших тестирование на основе программы самотестирования Intel для системной платы Intel® для настольных ПК D915GLVG.

Поставщик модуля
Номер детали модуля
Размер модуля
ДО
Тактовая частота модуля
МГц
Равно
CL-Тркд — ТРП
Код коррекции ошибок или
Без кода коррекции ошибок?
ЭКРАНА
Структура
Блок
Код даты
Используемый компонент
Номер детали
Технологии Инфинеон
HYS64D128320HU-5 – B
1 ГБ4003-3-3Без кода коррекции ошибокDSx80445Технологии Инфинеон
HYB25D512800BE-5
Технологии Инфинеон
HYS64D64320HU-5-C
Емкость4003-3-3Без кода коррекции ошибокDSx80436Технологии Инфинеон
HYB25D512800CE-5
Технологии Инфинеон
HYS64D32300HU-5-C
X1950 256 МБ4003-3-3Без кода коррекции ошибокSSx80432Технологии Инфинеон
HYB25D512800CE-5
Технология Kingston
KVR400X64C3A/1 ГБ
1 ГБ4003-3-3Без кода коррекции ошибокDSx80518инфинеон
HYB25D512800BE-5
Технология Kingston
KVR400X64C3A/1 ГБ
1 ГБ4003-3-3Без кода коррекции ошибокDSx8449Samsung
K4H510838B-ТККК
Технология Kingston
KVR400X64C3A/512
512 МБ4003-3-3Без кода коррекции ошибокSSx80518Micron
MT46V64M8-5B
Технология Kingston
KVR400X64C3A/512
Емкость4003-3-3Без кода коррекции ошибокDSx80000Samsung
K4H560838F-ТККК
Технология Kingston
KVR400X64C3A/256
X1950 256 МБ4003-3-3Без кода коррекции ошибокSSx80000Промо
V58C2256804SCT5B
Samsung
M368L2923CUN-ККК
1 ГБ4003-3-3Без кода коррекции ошибокDSx80509Samsung
K4H510838C-УККК
Samsung
M368L6423ETN-ККК
512 МБ4003-3-3Без кода коррекции ошибокDSx80509Samsung
K4H560838E-ТККК
Samsung
M368L6423FTN-ККК
512 МБ4003-3-3Без кода коррекции ошибокDSx80506Samsung
K4H560838F-ТККК
Samsung
M368L6523CUS-ККК
512 МБ4003-3-3Без кода коррекции ошибокSSx80503Samsung
K4H510838C-УККК
Samsung
M368L3223FTN-ККК
256 МБ4003-3-3Без кода коррекции ошибокSSx80506Samsung
K4H560838F-ТККК
Samsung
M368L3324CUS-ККК
256 МБ4003-3-3Без кода коррекции ошибокSSx160506Samsung
K4H511638C-УККК
Samsung
M368L3223ETN-ККК
256 МБ4003-3-3Без кода коррекции ошибокSSx80506Samsung
K4H560838E-ТККК
Технологии Инфинеон
HYS64D128320HU-6-B
1 ГБ3332.5-3-3Без кода коррекции ошибокDSx80434Технологии Инфинеон
HYB25D512800BE-6
Технологии Инфинеон
HYS64D64320HU-6-C
Емкость3332.5-3-3Без кода коррекции ошибокDSx80436Технологии Инфинеон
HYB25D512800CE-6
Технологии Инфинеон
HYS64D32300HU-6-C
X1950 256 МБ3332.5-3-3Без кода коррекции ошибокSSx80436Технологии Инфинеон
HYB25D512800CE-6
Micron
MT16VDDT6464AG-40BGB
Емкость4003-3-3Без кода коррекции ошибокDBx160511Micron
MT46V32M8TG
Micron
MT16VDDT12864AG-335DB
1024MB3332.5-3-3Без кода коррекции ошибокDBx80519Micron
MT46V64M8TG
Micron
MT16VDDT12864AY-335DB
1024MB3332.5-3-3Без кода коррекции ошибокDBx80438Micron
MT46V64M8P
Samsung
M368L5623MTN-CB3
2 ГБ3332.5-3-3Без кода коррекции ошибокDSx80508Samsung
K4H1G0838M-TCB3

Обновлено: 2 ноября 2005 г.