Системная память для системной платы Intel® DQ77MK
Функции системной памяти
Плата имеет четыре разъема для модулей памяти DIMM и поддерживает следующие характеристики памяти:
- модули DIMM 1,5 V DDR3 SDRAM с контактами уровня Gold с возможностью увеличения напряжения для поддержки более производительных модулей DIMM DDR3 SDRAM
- Твердотельные накопители DIMM с низким энергопотреблением 1,35 V (спецификация JEDEC)
- Два независимых канала памяти с поддержкой режима чередования
- Небуферизованные, односторонние и двухсторонние модули DIMM со следующими ограничениями: не поддерживают двусторонние модули DIMM с двумя сторонами x16
- максимальный общий объем системной памяти 32 ГБ (с технологией памяти емкостью 4 ГБ)
- Минимальный рекомендуемый общий объем системной памяти: 1 ГБ
- Модули памяти DIMM без кода коррекции ошибок
- Обнаружение последовательного присутствия
- Модули памяти DDR3 1600 МГц, DDR3 1333 МГц и DIMM DDR3 1066 МГц SDRAM. Процессоры Intel® Core™ третьего поколения являются единственным семейством процессоров с поддержкой модулей DIMM DDR3 1600 МГц
- Поддержка профиля производительности XMP версии 1,3 для скорости памяти 1600 МГц или ниже
Для полного соответствия требованиям к спецификациям памяти Intel® SDRAM требуются модули памяти DIMM, поддерживающие структуру данных Serial Presence Detect (SPD). Используя модули DIMM, поддерживающие SPD, BIOS может считывать данные SPD и программировать набор микросхем, чтобы точно настроить настройки памяти для достижения оптимальной производительности. Если установлена не-SPD память, BIOS пытается правильно сконфигурировать настройки памяти, но это может повлиять на производительность и надежность. Кроме того, модули памяти могут не работать при указанной частоте.
Поддерживаемые конфигурации памяти
| Емкость модулей DIMM | Конфигурирован | Плотность SDRAM | Организация SDRAM — передняя сторона/задняя сторона | Количество устройств SDRAM |
| 1 ГБ | Одна сторона | 1 Гбит | 128 м x 8/пусто | 8 |
| 2 ГБ | Двусторонняя | 1 Гбит | 128 м x 8/128 м x 8 | 16 |
| 2 ГБ | Одна сторона | 2 Гбит | 256 м x 8/пусто | 8 |
| 4 ГБ | Двусторонняя | 2 Гбит | 256 м x 8/256 м x 8 | 16 |
| 4 ГБ | Одна сторона | 4 Гбит | 512 м x 8/пусто | 8 |
| 8 ГБ | Двусторонняя | 4 Гбит | 512 м x 8/512 м x 8 | 16 |
Протестированные модули памяти
В таблице представлены компоненты, прошедшие тестирование в процессе разработки. Внутренняя Протестированная память Intel не может быть доступна в течение всего жизненного цикла продукта.
| Производитель модуля | Номер детали модуля | Размер модуля | Тактовая частота модуля (МГц) |
| апацер | 240P | 1 ГБ | 1333 |
| елпида | EBJ10UE8BAFA-AG-E | 1 ГБ | 1066 |
| елпида | EBJ10UE8BDF0 | 1 ГБ | 1333 |
| елпида | EBJ21UE8BBF0-ДИДЖЕЙ-F | 2 ГБ | 1333 |
| Ж. навык | F3 12800CL9D — 8GBXL | 4 ГБ | 1600 |
| жеил | GOC316GB1333C9DC | 8 ГБ | 1333 |
| 2 модуля Hynix | HMT351U6CFR8C-PB | 4 ГБ | 1600 |
| Kingston | KHX1600C9D3K3/6GX | 2 ГБ | 1600 |
| Micron | MT16JTF25664AY-1G1D1 | 2 ГБ | 1066 |
| Micron | MT16JTF25664AY-1G4D1 | 2 ГБ | 1333 |
| Micron | MT16JTF51264AZ-1G4D1 | 4 ГБ | 1333 |
| Micron | MT16JTF1G64AZ-1G6D1 | 8 ГБ | 1600 |
| Samsung | M378B5673FH0-CH9 | 2 ГБ | 1333 |
| Samsung | M378B5273DH0-CH9 | 4 ГБ | 1333 |
| Samsung | M378B2873EH1-CF8 | 1 ГБ | 1066 |
| Samsung | M378B5673DZ1-CF8 | 2 ГБ | 1066 |
| Samsung | M378B1G73BH0-CK0 | 8 ГБ | 1600 |
| Transcend | 587886-0279 | 2 ГБ | 1600 |
| Transcend | 58788-0219 | 4 ГБ | 1600 |
