Системная память для системной платы Intel® DN2800MT
Функции системной памяти
Поддерживаемые конфигурации памяти
Протестированные модули памяти
Функции системной памяти
Системная плата имеет 2 204-контактный разъем SO-DIMM и поддерживает следующие характеристики памяти:
- 1,5 в DDR3-800 и DDR3-1066 SO-DIMM с контактами уровня Gold
- Только процессоры без буферизации, без ECC, RAW Card B (1Rx8) и RAW Card-F (2Rx8) — только модули DIMM
- Двусторонние и двухсторонние модули
- максимальный общий объем системной памяти — 4 ГБ
- Обнаружение последовательного присутствия
- Модули DDR3 800 МГц и DDR3 1066 МГц с поддержкой модулей DIMM (более высокая скорость — модули DIMM поддерживаются при 1066 МГц, если они поддерживаются модулем памяти)
Из-за корпусе без вентилятора ограничений температуры Системная память должна иметь операционную температуру в 85 ° по Цельсию. Системная плата предназначена для фанлессли в правильном вентилироваться корпусе. Для достижения максимальной эффективности теплоотвода рекомендуется использовать вентиляционные места в корпусе, расположенные выше области системной памяти.
Если вы устанавливаете только один процессор «SO-DIMM», он должен быть установлен в нижнем разъеме (SO-DIMM 1).
Чтобы обеспечить полную совместимость со всеми поддерживаемыми спецификациями памяти DDR SDRAM, плата должна быть оснащена такими модулями DIMM, которые поддерживают структуру данных Serial Presence Detect (SPD). Это позволяет BIOS считывать данные SPD и программировать набор микросхем, чтобы точно настроить настройки памяти для достижения оптимальной производительности. Если на компьютере установлена не микроspd-блок памяти, BIOS попытается правильно сконфигурировать настройки памяти, но производительность и надежность могут быть нарушены, или все модули DIMM могут работать с определенными частотами.
Поддерживаемые конфигурации памяти
Конфигурации системной памяти основаны на доступности и могут меняться.
| Версия исходной карты | Емкость модулей DIMM | Технология для устройств DRAM | Организация DRAM | Количество устройств DRAM |
| B | 1 ГБ | 1 ГБ | 128 м x 8 | 8 |
| 2 ГБ | 2 ГБ | 256 м x 8 | 8 | |
| F | 2 ГБ | 1 ГБ | 128 м x 8 | 16 |
| 4 ГБ | 2 ГБ | 256 м x 8 | 16 |
Протестированные модули памяти
В таблице приведен список компонентов, прошедших тестирование в процессе разработки. Эти номера деталей могут быть недоступны в рамках жизненного цикла продукции.
| Производитель модуля | Номер детали модуля | Размер модуля | Тактовая частота модуля (МГц) |
| 2 модуля Hynix | HMT125S6TFR8C-G7 | 2 ГБ | 1066 |
| Micron | MT8JSF12864HY-1G4DZES | 1 ГБ | 1333 |
| Micron | MT8JSF25664HZ-1G4D1 | 2 ГБ | 1333 |
| Samsung | M471B2873FHS-CF8 | 1 ГБ | 1066 |
| Samsung | M471B2873EH1-CH9 | 1 ГБ | 1333 |
| Samsung | M471B5773CHS-CH9 | 2 ГБ | 1333 |
