Системная память для системной платы Intel® D2500CC
Функции системной памяти
Системная плата оснащена 2 204-контактными разъемами DDR3 SO-DIMM и поддерживает следующие характеристики памяти:
- Модули DDR3 SDRAM SO-DIMM с контактами уровня Gold
- Односторонние и двухсторонние модули DIMM без буферизации
- максимальный общий объем системной памяти — 4 ГБ
- Минимальный общий объем системной памяти: 256 МБ
- Модули памяти DIMM без кода коррекции ошибок
- Обнаружение последовательного присутствия
- DDR3 1066 МГц, DDR3 1333 МГц, DDR3 1600 МГц SO-DIMM (DDR3 1333 МГц и память DDR3 1600 МГц будут работать с частотой 1066 МГц)
Из-за неограниченного охлаждения системная память должна иметь операционную температуру в 85 ° по Цельсию. Системная плата разработана для тщательного охлаждения в правильном вентилироваться корпусе. Для достижения максимальной эффективности теплоотвода рекомендуется использовать вентиляционные места в корпусе, расположенные выше области системной памяти.
Чтобы обеспечить полную совместимость со всеми применимыми спецификациями памяти DDR3 SDRAM, на плате должно быть установлены процессоры DIMM, поддерживающие структуру данных Serial Presence Detect (SPD). Это позволяет BIOS считывать данные SPD и программировать набор микросхем, чтобы точно настроить настройки памяти для достижения оптимальной производительности. Если установлена не системная SPD-память, может быть снижена производительность и надежность, или памяти SODIMM может не работать при определенных тактовой частоте.
Поддерживаемые конфигурации памяти
Конфигурации системной памяти основаны на доступности и могут меняться.
| Версия исходной карты | Емкость модулей DIMM | Технология для устройств DRAM | Организация DRAM | Количество устройств DRAM |
| B | 1 ГБ | 1 ГБ | 128 м x 8 | 8 |
| 2 ГБ | 2 ГБ | 256 м x 8 | 8 | |
| F | 2 ГБ | 1 ГБ | 128 м x 8 | 16 |
| 4 ГБ1 | 2 ГБ | 256 м x 8 | 16 |
1 Поддержка одного из четырех модулей DIMM емкостью 4 ГБ, установленных в разъеме 1. Разъем 0 должен оставаться пустым.
Протестированные модули памяти
В таблице приведен список компонентов, прошедших тестирование в процессе разработки. Эти номера деталей могут быть недоступны в рамках жизненного цикла продукции.
| Поставщик модуля | Номер детали модуля | Формат | Тактовая частота (МГц) |
| елпида | EBJ21UE8BAU0-AE-E | 2 ГБ | 1066 |
| 2 модуля Hynix | HMT112S6TFR8C-G7 | 1 ГБ | 1066 |
| 2 модуля Hynix | HMT112S6TFR8C-H9N0 | 1 ГБ | 1333 |
| 2 модуля Hynix | HMT125S6TFR8C-G7 | 2 ГБ | 1066 |
| 2 модуля Hynix | HMT125S6AFP8C-G7 | 2 ГБ | 1066 |
| 2 модуля Hynix | HMT125S6BFR8C-H9N0 | 2 ГБ | 1333 |
| 2 модуля Hynix | HMT125S6BFR8C-H9N0 | 2 ГБ | 1333 |
| Micron | MT8JSF12864HY-1G1D1 | 1 ГБ | 1066 |
| Micron | MT8JSF12864HZ-1G1F1 | 1 ГБ | 1066 |
| Micron | MT8JSF12864HZ-1G4F1 | 1 ГБ | 1333 |
| Micron | MT16JSF25664HZ-1G1F1 | 2 ГБ | 1066 |
| Micron | MT8JSF25664HZ-1G4H1 | 2 ГБ | 1333 |
| Micron | MT8JSF25664HZ-1G4D1 | 2 ГБ | 1333 |
| Micron | MT16JSF25664HZ-1G4F1 | 2 ГБ | 1333 |
| Samsung | M471B2873EH1-CF8 | 1 ГБ | 1066 |
| Samsung | M471B2873EH1-CH9 | 1 ГБ | 1333 |
| Samsung | M471B5673EH1-CF8 | 2 ГБ | 1066 |
| Samsung | M471B5673EH1-CH9 | 2 ГБ | 1333 |
| Samsung | M471B5773CHS-CH9 | 2 ГБ | 1333 |
| Связанные темы |
| DDR, DDR2 и память DDR3 |
| Одноканальные и многоканальные режимы памяти |
| Устранение проблем системной памяти |
