Системная память для системной платы Intel® D2500CC

Документация

Совместимость

000007351

10.06.2020

Функции системной памяти
Системная плата оснащена 2 204-контактными разъемами DDR3 SO-DIMM и поддерживает следующие характеристики памяти:

  • Модули DDR3 SDRAM SO-DIMM с контактами уровня Gold
  • Односторонние и двухсторонние модули DIMM без буферизации
  • максимальный общий объем системной памяти — 4 ГБ
  • Минимальный общий объем системной памяти: 256 МБ
  • Модули памяти DIMM без кода коррекции ошибок
  • Обнаружение последовательного присутствия
  • DDR3 1066 МГц, DDR3 1333 МГц, DDR3 1600 МГц SO-DIMM (DDR3 1333 МГц и память DDR3 1600 МГц будут работать с частотой 1066 МГц)

Из-за неограниченного охлаждения системная память должна иметь операционную температуру в 85 ° по Цельсию. Системная плата разработана для тщательного охлаждения в правильном вентилироваться корпусе. Для достижения максимальной эффективности теплоотвода рекомендуется использовать вентиляционные места в корпусе, расположенные выше области системной памяти.

Чтобы обеспечить полную совместимость со всеми применимыми спецификациями памяти DDR3 SDRAM, на плате должно быть установлены процессоры DIMM, поддерживающие структуру данных Serial Presence Detect (SPD). Это позволяет BIOS считывать данные SPD и программировать набор микросхем, чтобы точно настроить настройки памяти для достижения оптимальной производительности. Если установлена не системная SPD-память, может быть снижена производительность и надежность, или памяти SODIMM может не работать при определенных тактовой частоте.

Поддерживаемые конфигурации памяти
Конфигурации системной памяти основаны на доступности и могут меняться.

Версия исходной картыЕмкость модулей DIMMТехнология для устройств DRAMОрганизация DRAMКоличество устройств DRAM
B1 ГБ1 ГБ128 м x 88
2 ГБ2 ГБ256 м x 88
F2 ГБ1 ГБ128 м x 816
4 ГБ12 ГБ256 м x 816

 

1 Поддержка одного из четырех модулей DIMM емкостью 4 ГБ, установленных в разъеме 1. Разъем 0 должен оставаться пустым.

Протестированные модули памяти

В таблице приведен список компонентов, прошедших тестирование в процессе разработки. Эти номера деталей могут быть недоступны в рамках жизненного цикла продукции.

Поставщик модуляНомер детали модуляФорматТактовая частота (МГц)
елпидаEBJ21UE8BAU0-AE-E2 ГБ1066
2 модуля HynixHMT112S6TFR8C-G71 ГБ1066
2 модуля HynixHMT112S6TFR8C-H9N01 ГБ1333
2 модуля HynixHMT125S6TFR8C-G72 ГБ1066
2 модуля HynixHMT125S6AFP8C-G72 ГБ1066
2 модуля HynixHMT125S6BFR8C-H9N02 ГБ1333
2 модуля HynixHMT125S6BFR8C-H9N02 ГБ1333
MicronMT8JSF12864HY-1G1D11 ГБ1066
MicronMT8JSF12864HZ-1G1F11 ГБ1066
MicronMT8JSF12864HZ-1G4F11 ГБ1333
MicronMT16JSF25664HZ-1G1F12 ГБ1066
MicronMT8JSF25664HZ-1G4H12 ГБ1333
MicronMT8JSF25664HZ-1G4D12 ГБ1333
MicronMT16JSF25664HZ-1G4F12 ГБ1333
SamsungM471B2873EH1-CF81 ГБ1066
SamsungM471B2873EH1-CH91 ГБ1333
SamsungM471B5673EH1-CF82 ГБ1066
SamsungM471B5673EH1-CH92 ГБ1333
SamsungM471B5773CHS-CH92 ГБ1333

 

Связанные темы
DDR, DDR2 и память DDR3
Одноканальные и многоканальные режимы памяти
Устранение проблем системной памяти