Системная память для системной платы Intel® DQ67EP для настольных ПК

Документация

Совместимость

000007619

29.06.2021

 

Функции системной памяти
На платы имеется два розетки DIMM, которые поддерживают следующие функции памяти:

  • Два независимых канала памяти с поддержкой режимов с перемежимом режиме
  • Поддержка напряжения памяти DIMM от 1,2 В до 1,8 В
  • Поддержка не ECC, небуферных, односторонних или односторонних dimm с организацией x8
  • Максимальный объем системной памяти 16 ГБ (с технологией памяти 4 ГБ)
  • Минимальная общая системная память: 1 ГБ с использованием модуля 1 Гб x8
  • Обнаружение серийного присутствия
  • DDR3 1333 МГц и DDR3 SDRAM DIMM 1066 МГц

Чтобы быть полностью совместимы со всеми применимыми спецификациями памяти DDR SDRAM, платы должны заполняться dimmами, поддерживаюными структуру данных, выявляемых серийным присутствием (SPD). Это позволяет BIOS считывать данные SPD и программировать набор микросхем для точной конфигурации параметров памяти для оценки производительности компьютера. Если память, не spD, установлена, BIOS попытается корректно сконфигурировать настройки памяти, но производительность и надежность могут быть с ней сконфигурированы, или память DIMM может не работать в условиях определенной частоты.

1,5 В — это рекомендуемая настройка по умолчанию для напряжения памяти DDR3. Другие настройки напряжения памяти программы BIOS Setup предоставляются только в целях настройки производительности. Изменение напряжения памяти может (i) привести к снижению стабильности системы и сокращению срок службы системы, памяти и процессора. (II) привести к сбойу процессора и других компонентов системы; (III) привести к снижению производительности системы; (iv) привести к дополнительному нагреву или другим повреждениям; и (v) повлиять на целостность системных данных.

Корпорация Intel не тестирована и не гарантирует работу процессора сверх его спецификаций. Для получения информации о гарантии на процессоры обратитесь к информации о гарантии процессора.


Поддерживаемые конфигурации памяти

 

Емкость DIMMКонфигурацииПлотность SDRAMSDRAM Organization — спереди на стороне и на задней сторонеКоличество устройств SDRAM
1 ГБОдносторонний1 Гбит1 Гб x 8/пустые8
2 ГБДвухбокие1 Гбит1 Гб x 8/1 Гб x 816
2 ГБОдносторонний2 Гбит2 Гб x 8/пустые8
4 ГБДвухбокие2 Гбит2 Гб x 8/2 Гб x 816

 

Протестированная память
Протестированная сторонними производителями память возникает по требованию поставщиков и тестется в независимом доме памяти (CMTL*) — лаборатории тестирования компьютерной памяти, которая не является частью корпорации Intel.

В таблице ниже перечислены части, которые прошли тестирование во время разработки. Эти номера для part numbers могут быть недоступны в течение всего жизненного цикла продукции.

 

Производитель модуляНомер модуляРазмер модуляСкорость модуляECC или Non-ECCПроизводитель компонентовНомер детали компонента
HynixHMT112U6BFR8C-G71 ГБ1066 МГцNon-ECCHynixHMT112U6BFR8C-G7
HynixHMT112U6AFP8C-H91 ГБ1333 МГцНе ECCHynixHMT112U6AFP8C-H9
HynixHMT125U7AFP8C-G7T02 ГБ1066 МГцНе ECCHynixHMT125U6AFP8C-G7T0
HynixHMT125U6BFR8C-H92 ГБ1333 МГцНе ECCHynixHMT125U6BFR8C-H9
HynixHMT351U6AFR8C-G74 ГБ1066 МГцНе ECCHynixHMT351U6AFR8C-G7
HynixHMT351U6AFR8C-H94 ГБ1333 МГцНе ECCHynixHMT351U6AFR8C-H9
МикронMT8JTF12864AY-1G1D11 ГБ1066 МГцНе ECCМикронMT8JTF12864AY-1G1D1
МикронMT8JTF12864AY-1G4D11 ГБ1333 МГцНе ECCМикронMT8JTF12864AY-1G4D1
МикронMT16JTF25664AY-1G1D12 ГБ1066 МГцНе ECCМикронMT16JTF25664AY-1G1D1
МикронMT16JTF25664AZ-1G4F12 ГБ1333 МГцНе ECCМикронMT16JTF25664AZ-1G4F1
МикронMT16JTF51264AZ-1G1D14 ГБ1066 МГцНе ECCМикронMT16JTF51264AZ-1G1D1
МикронMT16JTF51264AZ-1G4D4 ГБ1333 МГцНе ECCМикронMT16JTF51264AZ-1G4D
SamsungM378B2873DZ1-CF81 ГБ1066 МГцNon-ECCSamsungM378B2873DZ1-CF8
SamsungM378B2873EH1-CH91 ГБ1333 МГцNon-ECCSamsungM378B2873EH1-CH9
SamsungM378B5673DZ1-CF82 ГБ1066 МГцНе ECCSamsungM378B5673DZ1-CF8
SamsungM378B5673DZ1-CH92 ГБ1333 МГцНе ECCSamsungM378B5673DZ1-CH9
SamsungM378B5273BH1-CF84 ГБ1066 МГцNon-ECCSamsungM378B5273BH1-CF8
SamsungM378B5273BH1-CF94 ГБ1333 МГцNon-ECCSamsungM378B5273BH1-CF9