Системная память для системной платы Intel® DQ67EP для настольных ПК
Функции системной памяти
На платы имеется два розетки DIMM, которые поддерживают следующие функции памяти:
- Два независимых канала памяти с поддержкой режимов с перемежимом режиме
- Поддержка напряжения памяти DIMM от 1,2 В до 1,8 В
- Поддержка не ECC, небуферных, односторонних или односторонних dimm с организацией x8
- Максимальный объем системной памяти 16 ГБ (с технологией памяти 4 ГБ)
- Минимальная общая системная память: 1 ГБ с использованием модуля 1 Гб x8
- Обнаружение серийного присутствия
- DDR3 1333 МГц и DDR3 SDRAM DIMM 1066 МГц
Чтобы быть полностью совместимы со всеми применимыми спецификациями памяти DDR SDRAM, платы должны заполняться dimmами, поддерживаюными структуру данных, выявляемых серийным присутствием (SPD). Это позволяет BIOS считывать данные SPD и программировать набор микросхем для точной конфигурации параметров памяти для оценки производительности компьютера. Если память, не spD, установлена, BIOS попытается корректно сконфигурировать настройки памяти, но производительность и надежность могут быть с ней сконфигурированы, или память DIMM может не работать в условиях определенной частоты.
1,5 В — это рекомендуемая настройка по умолчанию для напряжения памяти DDR3. Другие настройки напряжения памяти программы BIOS Setup предоставляются только в целях настройки производительности. Изменение напряжения памяти может (i) привести к снижению стабильности системы и сокращению срок службы системы, памяти и процессора. (II) привести к сбойу процессора и других компонентов системы; (III) привести к снижению производительности системы; (iv) привести к дополнительному нагреву или другим повреждениям; и (v) повлиять на целостность системных данных.
Корпорация Intel не тестирована и не гарантирует работу процессора сверх его спецификаций. Для получения информации о гарантии на процессоры обратитесь к информации о гарантии процессора.
Поддерживаемые конфигурации памяти
| Емкость DIMM | Конфигурации | Плотность SDRAM | SDRAM Organization — спереди на стороне и на задней стороне | Количество устройств SDRAM |
| 1 ГБ | Односторонний | 1 Гбит | 1 Гб x 8/пустые | 8 |
| 2 ГБ | Двухбокие | 1 Гбит | 1 Гб x 8/1 Гб x 8 | 16 |
| 2 ГБ | Односторонний | 2 Гбит | 2 Гб x 8/пустые | 8 |
| 4 ГБ | Двухбокие | 2 Гбит | 2 Гб x 8/2 Гб x 8 | 16 |
Протестированная память
Протестированная сторонними производителями память возникает по требованию поставщиков и тестется в независимом доме памяти (CMTL*) — лаборатории тестирования компьютерной памяти, которая не является частью корпорации Intel.
В таблице ниже перечислены части, которые прошли тестирование во время разработки. Эти номера для part numbers могут быть недоступны в течение всего жизненного цикла продукции.
| Производитель модуля | Номер модуля | Размер модуля | Скорость модуля | ECC или Non-ECC | Производитель компонентов | Номер детали компонента |
| Hynix | HMT112U6BFR8C-G7 | 1 ГБ | 1066 МГц | Non-ECC | Hynix | HMT112U6BFR8C-G7 |
| Hynix | HMT112U6AFP8C-H9 | 1 ГБ | 1333 МГц | Не ECC | Hynix | HMT112U6AFP8C-H9 |
| Hynix | HMT125U7AFP8C-G7T0 | 2 ГБ | 1066 МГц | Не ECC | Hynix | HMT125U6AFP8C-G7T0 |
| Hynix | HMT125U6BFR8C-H9 | 2 ГБ | 1333 МГц | Не ECC | Hynix | HMT125U6BFR8C-H9 |
| Hynix | HMT351U6AFR8C-G7 | 4 ГБ | 1066 МГц | Не ECC | Hynix | HMT351U6AFR8C-G7 |
| Hynix | HMT351U6AFR8C-H9 | 4 ГБ | 1333 МГц | Не ECC | Hynix | HMT351U6AFR8C-H9 |
| Микрон | MT8JTF12864AY-1G1D1 | 1 ГБ | 1066 МГц | Не ECC | Микрон | MT8JTF12864AY-1G1D1 |
| Микрон | MT8JTF12864AY-1G4D1 | 1 ГБ | 1333 МГц | Не ECC | Микрон | MT8JTF12864AY-1G4D1 |
| Микрон | MT16JTF25664AY-1G1D1 | 2 ГБ | 1066 МГц | Не ECC | Микрон | MT16JTF25664AY-1G1D1 |
| Микрон | MT16JTF25664AZ-1G4F1 | 2 ГБ | 1333 МГц | Не ECC | Микрон | MT16JTF25664AZ-1G4F1 |
| Микрон | MT16JTF51264AZ-1G1D1 | 4 ГБ | 1066 МГц | Не ECC | Микрон | MT16JTF51264AZ-1G1D1 |
| Микрон | MT16JTF51264AZ-1G4D | 4 ГБ | 1333 МГц | Не ECC | Микрон | MT16JTF51264AZ-1G4D |
| Samsung | M378B2873DZ1-CF8 | 1 ГБ | 1066 МГц | Non-ECC | Samsung | M378B2873DZ1-CF8 |
| Samsung | M378B2873EH1-CH9 | 1 ГБ | 1333 МГц | Non-ECC | Samsung | M378B2873EH1-CH9 |
| Samsung | M378B5673DZ1-CF8 | 2 ГБ | 1066 МГц | Не ECC | Samsung | M378B5673DZ1-CF8 |
| Samsung | M378B5673DZ1-CH9 | 2 ГБ | 1333 МГц | Не ECC | Samsung | M378B5673DZ1-CH9 |
| Samsung | M378B5273BH1-CF8 | 4 ГБ | 1066 МГц | Non-ECC | Samsung | M378B5273BH1-CF8 |
| Samsung | M378B5273BH1-CF9 | 4 ГБ | 1333 МГц | Non-ECC | Samsung | M378B5273BH1-CF9 |
