Системная память для системной платы Intel® DH61AG для настольных ПК
Содержимое
Функции системной памяти
Поддерживаемые конфигурации памяти
Протестированные модули памяти
Плата имеет два 204-контактных РАЗЪЕМА DIMM SO и поддерживает следующие функции памяти:
- 1.5-вольтовый SO-DIMMs DDR3 SDRAM с позолоченными контактами
- Поддержа 1.35-вольтового низкого напряжения DDR3 (новая Спецификация JEDEC)
- Два независимых канала памяти с поддержкой чередования
- Односторонний или двусторонний SO-DIMMs без буферизации
- Макс. объем системной памяти 16 ГБ (при использовании модулей памяти объемом 4 ГБ)
- Минимальная рекомендуемая общая системная память: 1024 МБ
- SO-DIMMs не-ЕЭС
- Последовательное присутствие обнаруживает
- Профиль XMP поддерживает для обнаружения напряжения
- DDR3 1333 МГц и SO-DIMMs SDRAM на 1066 МГц DDR3
Чтобы быть полностью совместимой со всеми применимыми спецификациями памяти DDR SDRAM, плата должна быть заполнена с SO-DIMMs, которые поддерживают структуру данных последовательного присутствия обнаруживает (SPD). Это позволяет BIOS считывать данные SPD и программировать набор микросхем на точное конфигурирование установок памяти для достижения оптимальной производительности. Если non-SPD память будет установлена, то BIOS попытается правильно сконфигурировать настройки памяти, но на производительность и надежность можно повлиять, или SO-DIMMs может не функционировать под решительной частотой.
1.5 В являются рекомендуемым и настройкой по умолчанию для напряжения памяти DDR3. Другие установки напряжения памяти в программе BIOS Setup предоставлены для настраивающих целей производительности только. Изменение напряжения памяти может (i) уменьшать стабильность системы и срок эксплуатации системы, памяти и процессора; (ii) заставляют процессор и другие компоненты системы перестать работать; (iii) сокращения причины производительности системы; (iv) привести к перегреву или дополнительным повреждениям; (v) повлиять на целостность данных, хранящихся в системе.
Intel не протестировал и не делает гарантии эксплуатация процессора вне его спецификаций. Для получения информации о гарантии процессора обратитесь к Гарантийной информации процессора.
Поддерживаемые конфигурации памяти
| Необработанная версия карты | Емкость модуля SO-DIMM | Технология устройства DRAM | Организация DRAM | # устройств DRAM |
| A | 1 ГБ | 1 Гбит | 64 М x 16 | 8 |
| 2 ГБ | 2 Гбита | 128 М x 16 | 8 | |
| B | 1 ГБ | 1 Гбит | 128 М x 8 | 8 |
| 2 ГБ | 2 Гбита | 256 М x 8 | 8 | |
| C | 512 МБ | 1 Гбит | 64 М x 16 | 4 |
| 1 ГБ | 2 Гбита | 128 М x 16 | 4 | |
| F | 2 ГБ | 1 Гбит | 128 М x 8 | 16 |
| 4 ГБ | 2 Гбита | 256 М x 8 | 16 | |
| 8 ГБ | 4 Гбита | 512 М x 8 | 16 |
Протестированные модули памяти
Лаборатории Computer Memory Test Lab* (CMTL) тестируют стороннюю память на совместимость с платами Intel® в соответствии с требованиями производителями памяти. См. список протестированных модулей памяти CMTL* для этой Системной платы для настольных ПК Intel®.
Таблица ниже приводит части, прошедшие тестирование во время разработки. Эти номера деталей могут не предоставляться в течение эксплуатационного срока продукции.
| Производитель модуля | Номер детали модуля | Размер модуля | Частота модуля (МГц) |
| Elpida | EBJ21UE8BDS0-DJ-F/5 | 2 ГБ | 1333 |
| Elpida | EBJ10UE8BDS0-ДИ-ДЖЕЙ | 1 ГБ | 1333 |
| Hynix | HMT112S6TFR8C-H9/57 | 1 ГБ | 1333 |
| Hynix | 204P HMT351S6BFR8C-H9/57 | 4 ГБ | 1333 |
| Hynix | HMT125S6TFR8C-H9 | 2 ГБ | 1333 |
| Kingston | HP572293-C01-ELDWG | 2 ГБ | 1333 |
| Kingston | KHX1600C9S3P1K2/8G | 4 ГБ | 1600 |
| Micron | MT16JTF25664HZ-1G4G | 2 ГБ | 1333 |
| Micron | MT8JTF12864HZ | 1 ГБ | 1333 |
| Qimonda | MT16JSF51264HZ-1G4D1 | 4 ГБ | 1333 |
| Samsung | M471B2873GB0-CH9/57 | 1 ГБ | 1333 |
| Samsung | M471B5273DH0 | 4 ГБ | 1333 |
| Samsung | M471B5673GB0 | 2 ГБ | 1333 |
| Samsung | SM471B2873GB0-CK0 | ГБ S1 | S1600 |
| Samsung | SM471B5773DH0-CK0 | ГБ S2 | S1600 |
| Sanmax | SMD-N2G88H3P | 2 ГБ | 1066 |
| Sanmax | SMD-N4G68HP | 4 ГБ | 1066 |
