Системная память для системной платы Intel® DB65AL
Функции системной памяти
Плата имеет четыре разъема для модулей памяти DIMM и поддерживает следующие характеристики памяти:
- Два независимых канала памяти с поддержкой режима чередования
- Поддержка односторонних и двусторонних модулей DIMM без буферизации с технологией x8
- максимальный общий объем системной памяти 32 ГБ (с технологией памяти емкостью 4 ГБ)
- Минимальный общий объем системной памяти: 1 ГБ при использовании модуля x8 с 1 ГБ
- Обнаружение последовательного присутствия
- Модули памяти DDR3 1333 МГц и DDR3 1066 МГц с памятью SDRAM
Для полной совместимости со всеми поддерживаемыми спецификациями памяти DDR SDRAM системная плата должна содержать модули DIMM, поддерживающие структуру данных Serial Presence Detect (SPD). Это позволяет BIOS считывать данные SPD и программировать набор микросхем, чтобы точно настроить настройки памяти для достижения оптимальной производительности. Если на компьютере установлена не микроspd-блок памяти, BIOS попытается правильно сконфигурировать настройки памяти, но производительность и надежность могут быть нарушены, или модули DIMM могут не работать при определенных частоте.
1,5 в — это рекомендуемая и используемая по умолчанию Настройка напряжения DDR3 в памяти. Другие настройки напряжения памяти в программе BIOS Setup предназначены только для целей настройки производительности. Изменение напряжения памяти может (i) привести к ухудшению стабильности системы и сокращению срока службы системы, модулей памяти и процессора; 2) привести к неисправности процессора и других компонентов системы; 3) привести к снижению производительности системы. (IV) привести к перегреву или другим повреждениям; и (v) повлиять на целостность данных в системе.
Корпорация Intel не тестировала и не гарантирует работу процессора по сравнению с его спецификациями. За информацией о гарантийной поддержке процессоров обратитесь к информации о гарантии процессора.
Поддерживаемые конфигурации памяти
| Емкость модулей DIMM | Конфигурирован | Плотность SDRAM | Организация SDRAM — передняя сторона/задняя сторона | Количество устройств SDRAM |
| 512 МБ | Одна сторона | 1 Гбит | 64 м x 16/пусто | 4 |
| 1 ГБ | Одна сторона | 1 Гбит | 128 м x 8/пусто | 8 |
| 1 ГБ | Одна сторона | 2 Гбит | 128 м x 16/пусто | 4 |
| 2 ГБ | Двусторонняя | 1 Гбит | 128 м x 8/128 м x 8 | 16 |
| 2 ГБ | Одна сторона | 2 Гбит | 128 м x 16/пусто | 8 |
| 4 ГБ | Двусторонняя | 2 Гбит | 256 м x 8/256 м x 8 | 16 |
| 8 ГБ | Двусторонняя | 4 Гбит | 512 м x 8/512 м x 8 | 16 |
Протестированные модули памяти сторонних производителей
В таблице представлены компоненты, прошедшие тестирование в процессе разработки. Эти номера деталей могут быть недоступны в рамках жизненного цикла продукции.
| Производитель модуля | Номер детали модуля | Размер модуля | Тактовая частота модуля | Код коррекции ошибок (ECC) или без ECC | Производитель компонента | Номер детали компонента |
| 2 модуля Hynix | HMT112U6BFR8C-G7 | 1 ГБ | 1066 МГц | Без кода коррекции ошибок | 2 модуля Hynix | HMT112U6BFR8C-G7 |
| 2 модуля Hynix | HMT112U6AFP8C-H9 | 1 ГБ | 1333 МГц | Без кода коррекции ошибок | 2 модуля Hynix | HMT112U6AFP8C-H9 |
| 2 модуля Hynix | HMT125U7AFP8C-G7T0 | 2 ГБ | 1066 МГц | Без кода коррекции ошибок | 2 модуля Hynix | HMT125U6AFP8C-G7T0 |
| 2 модуля Hynix | HMT125U6BFR8C-H9 | 2 ГБ | 1333 МГц | Без кода коррекции ошибок | 2 модуля Hynix | HMT125U6BFR8C-H9 |
| 2 модуля Hynix | HMT351U6AFR8C-G7 | 4 ГБ | 1066 МГц | Без кода коррекции ошибок | 2 модуля Hynix | HMT351U6AFR8C-G7 |
| 2 модуля Hynix | HMT351U6AFR8C-H9 | 4 ГБ | 1333 МГц | Без кода коррекции ошибок | 2 модуля Hynix | HMT351U6AFR8C-H9 |
| Micron | MT8JTF12864AY-1G1D1 | 1 ГБ | 1066 МГц | Без кода коррекции ошибок | Micron | MT8JTF12864AY-1G1D1 |
| Micron | MT8JTF12864AY-1G4D1 | 1 ГБ | 1333 МГц | Без кода коррекции ошибок | Micron | MT8JTF12864AY-1G4D1 |
| Micron | MT16JTF25664AY-1G1D1 | 2 ГБ | 1066 МГц | Без кода коррекции ошибок | Micron | MT16JTF25664AY-1G1D1 |
| Micron | MT16JTF25664AZ-1G4F1 | 2 ГБ | 1333 МГц | Без кода коррекции ошибок | Micron | MT16JTF25664AZ-1G4F1 |
| Micron | MT16JTF51264AZ-1G1D1 | 4 ГБ | 1066 МГц | Без кода коррекции ошибок | Micron | MT16JTF51264AZ-1G1D1 |
| Micron | MT16JTF51264AZ-1G4D | 4 ГБ | 1333 МГц | Без кода коррекции ошибок | Micron | MT16JTF51264AZ-1G4D |
| Samsung | M378B2873DZ1-CF8 | 1 ГБ | 1066 МГц | Без кода коррекции ошибок | Samsung | M378B2873DZ1-CF8 |
| Samsung | M378B2873EH1-CH9 | 1 ГБ | 1333 МГц | Без кода коррекции ошибок | Samsung | M378B2873EH1-CH9 |
| Samsung | M378B5673DZ1-CF8 | 2 ГБ | 1066 МГц | Без кода коррекции ошибок | Samsung | M378B5673DZ1-CF8 |
| Samsung | M378B5673DZ1-CH9 | 2 ГБ | 1333 МГц | Без кода коррекции ошибок | Samsung | M378B5673DZ1-CH9 |
| Samsung | M378B5273BH1-CF8 | 4 ГБ | 1066 МГц | Без кода коррекции ошибок | Samsung | M378B5273BH1-CF8 |
| Samsung | M378B5273BH1-CF9 | 4 ГБ | 1333 МГц | Без кода коррекции ошибок | Samsung | M378B5273BH1-CF9 |
