Системная память для системной платы Intel® DB65AL

Документация

Совместимость

000007724

10.06.2020

 

Функции системной памяти
Плата имеет четыре разъема для модулей памяти DIMM и поддерживает следующие характеристики памяти:

  • Два независимых канала памяти с поддержкой режима чередования
  • Поддержка односторонних и двусторонних модулей DIMM без буферизации с технологией x8
  • максимальный общий объем системной памяти 32 ГБ (с технологией памяти емкостью 4 ГБ)
  • Минимальный общий объем системной памяти: 1 ГБ при использовании модуля x8 с 1 ГБ
  • Обнаружение последовательного присутствия
  • Модули памяти DDR3 1333 МГц и DDR3 1066 МГц с памятью SDRAM

Для полной совместимости со всеми поддерживаемыми спецификациями памяти DDR SDRAM системная плата должна содержать модули DIMM, поддерживающие структуру данных Serial Presence Detect (SPD). Это позволяет BIOS считывать данные SPD и программировать набор микросхем, чтобы точно настроить настройки памяти для достижения оптимальной производительности. Если на компьютере установлена не микроspd-блок памяти, BIOS попытается правильно сконфигурировать настройки памяти, но производительность и надежность могут быть нарушены, или модули DIMM могут не работать при определенных частоте.

1,5 в — это рекомендуемая и используемая по умолчанию Настройка напряжения DDR3 в памяти. Другие настройки напряжения памяти в программе BIOS Setup предназначены только для целей настройки производительности. Изменение напряжения памяти может (i) привести к ухудшению стабильности системы и сокращению срока службы системы, модулей памяти и процессора; 2) привести к неисправности процессора и других компонентов системы; 3) привести к снижению производительности системы. (IV) привести к перегреву или другим повреждениям; и (v) повлиять на целостность данных в системе.

Корпорация Intel не тестировала и не гарантирует работу процессора по сравнению с его спецификациями. За информацией о гарантийной поддержке процессоров обратитесь к информации о гарантии процессора.

Поддерживаемые конфигурации памяти

 

Емкость модулей DIMMКонфигурированПлотность SDRAMОрганизация SDRAM — передняя сторона/задняя сторонаКоличество устройств SDRAM
512 МБОдна сторона1 Гбит64 м x 16/пусто4
1 ГБОдна сторона1 Гбит128 м x 8/пусто8
1 ГБОдна сторона2 Гбит128 м x 16/пусто4
2 ГБДвусторонняя1 Гбит128 м x 8/128 м x 816
2 ГБОдна сторона2 Гбит128 м x 16/пусто8
4 ГБДвусторонняя2 Гбит256 м x 8/256 м x 816
8 ГБДвусторонняя4 Гбит512 м x 8/512 м x 816

Протестированные модули памяти сторонних производителей

В таблице представлены компоненты, прошедшие тестирование в процессе разработки. Эти номера деталей могут быть недоступны в рамках жизненного цикла продукции.

 

Производитель модуляНомер детали модуляРазмер модуляТактовая частота модуляКод коррекции ошибок (ECC) или без ECCПроизводитель компонентаНомер детали компонента
2 модуля HynixHMT112U6BFR8C-G71 ГБ1066 МГцБез кода коррекции ошибок2 модуля HynixHMT112U6BFR8C-G7
2 модуля HynixHMT112U6AFP8C-H91 ГБ1333 МГцБез кода коррекции ошибок2 модуля HynixHMT112U6AFP8C-H9
2 модуля HynixHMT125U7AFP8C-G7T02 ГБ1066 МГцБез кода коррекции ошибок2 модуля HynixHMT125U6AFP8C-G7T0
2 модуля HynixHMT125U6BFR8C-H92 ГБ1333 МГцБез кода коррекции ошибок2 модуля HynixHMT125U6BFR8C-H9
2 модуля HynixHMT351U6AFR8C-G74 ГБ1066 МГцБез кода коррекции ошибок2 модуля HynixHMT351U6AFR8C-G7
2 модуля HynixHMT351U6AFR8C-H94 ГБ1333 МГцБез кода коррекции ошибок2 модуля HynixHMT351U6AFR8C-H9
MicronMT8JTF12864AY-1G1D11 ГБ1066 МГцБез кода коррекции ошибокMicronMT8JTF12864AY-1G1D1
MicronMT8JTF12864AY-1G4D11 ГБ1333 МГцБез кода коррекции ошибокMicronMT8JTF12864AY-1G4D1
MicronMT16JTF25664AY-1G1D12 ГБ1066 МГцБез кода коррекции ошибокMicronMT16JTF25664AY-1G1D1
MicronMT16JTF25664AZ-1G4F12 ГБ1333 МГцБез кода коррекции ошибокMicronMT16JTF25664AZ-1G4F1
MicronMT16JTF51264AZ-1G1D14 ГБ1066 МГцБез кода коррекции ошибокMicronMT16JTF51264AZ-1G1D1
MicronMT16JTF51264AZ-1G4D4 ГБ1333 МГцБез кода коррекции ошибокMicronMT16JTF51264AZ-1G4D
SamsungM378B2873DZ1-CF81 ГБ1066 МГцБез кода коррекции ошибокSamsungM378B2873DZ1-CF8
SamsungM378B2873EH1-CH91 ГБ1333 МГцБез кода коррекции ошибокSamsungM378B2873EH1-CH9
SamsungM378B5673DZ1-CF82 ГБ1066 МГцБез кода коррекции ошибокSamsungM378B5673DZ1-CF8
SamsungM378B5673DZ1-CH92 ГБ1333 МГцБез кода коррекции ошибокSamsungM378B5673DZ1-CH9
SamsungM378B5273BH1-CF84 ГБ1066 МГцБез кода коррекции ошибокSamsungM378B5273BH1-CF8
SamsungM378B5273BH1-CF94 ГБ1333 МГцБез кода коррекции ошибокSamsungM378B5273BH1-CF9