Характеристики памяти и список протестированных модулей памяти для серверной платы Intel® S1200KP
Спецификации памяти и актуальные модули памяти для серверной платы Intel® S1200KP приведены ниже.
На системной плате имеется два разъема для модулей памяти DIMM и поддерживаются следующие характеристики памяти:
- модули памяти DIMM 1,5 в DDR3 DRAM с контактами уровня Gold с позолоченными контактами
- Два независимых канала памяти с поддержкой режима чередования
- Односторонние и двухсторонние модули DIMM без буферизации со следующими ограничениями: двухсторонние модули DIMM с 16 организациями не поддерживаются .
- максимальный общий объем системной памяти составляет 16 ГБ (с технологией памяти емкостью 4 ГБ) (см. раздел, посвященный 25-гигабайтной технологии памяти) (Подробнее об общем объеме адресной памяти см. в разделе г.).
- Минимальный рекомендуемый общий объем системной памяти: 512 МБ
- Модули памяти с кодом коррекции ошибок и без кода коррекции ошибок
- Обнаружение последовательного присутствия
- Модули памяти DDR3 с частотой 1333 МГц и DDR3 1066 с частотой DRAM
| Рекомендации |
|
Список протестированных модулей памяти
(перед использованием других модулей DIMM, которых нет в списке, убедитесь, что они применимы к указанным выше спецификациям и заметкам):
| Драйвер | Тип | Номер модели | Формат | МГц |
| елпида | Без кода коррекции ошибок | EBJ10UE8BAFA-AG-E | 1 ГБ | 1066 |
| 2 модуля Hynix | Без кода коррекции ошибок | HMT125U6BFR8C-G7 | 2 ГБ | 1066 |
| Samsung | Без кода коррекции ошибок | M378B567EH1-CF8 | 2 ГБ | 1066 |
| Samsung | Без кода коррекции ошибок | M378B2873EH1-CF8 | 1 ГБ | 1066 |
| апацер | Без кода коррекции ошибок | 240P | 1 ГБ | 1333 |
| KINGSTON | Без кода коррекции ошибок | HP497156-C01-ЮРИДИЧЕСКИЙ ОТДЕЛ | 1 ГБ | 1333 |
| Micron | Без кода коррекции ошибок | MT8JTF12864AZ-1G4F1 | 1 ГБ | 1333 |
| Samsung | Без кода коррекции ошибок | M378B2873DZ1-CH9 | 1 ГБ | 1333 |
| Samsung | Без кода коррекции ошибок | M378B5673DZ1-CH9 | 2 ГБ | 1333 |
| Micron | Без кода коррекции ошибок | 16JTF25664AY-1G4D1 | 2 ГБ | 1333 |
| Micron | Без кода коррекции ошибок | 16JTF25664AZ-1G4F1 | 2 ГБ | 1333 |
| елпида | Без кода коррекции ошибок | EBJ21UE8BBF0-ДИДЖЕЙ-F | 2 ГБ | 1333 |
| Samsung | Без кода коррекции ошибок | M378B5273BH1-CH9 | 4 ГБ | 1333 |
| 2 модуля Hynix | Без кода коррекции ошибок | HMT351U6AFR8C-H9 | 4 ГБ | 1333 |
| ADATA | Без кода коррекции ошибок | AX3U1600GB2G9 | 2 ГБ | 1600 |
| KINGSTON | Без кода коррекции ошибок | KHX1600C9D3 | 2 ГБ | 1600 |
| KINGSTON | Без кода коррекции ошибок | KHX1866C9D3T1K3/3GX | 1 ГБ | 1866 |
| KINGSTON | Без кода коррекции ошибок | KHX2133C9AD3T1K2 | 2 ГБ | 2133 |
| Micron | Обнаружение | 1 ГБ MT9JSF12872AY-1G1D1 | 1 ГБ | 1066 |
| 2 модуля Hynix | Обнаружение | 4 ГБ HMT351U7MFR8C-G7 | 4 ГБ | 1066 |
| Samsung | Обнаружение | 4 ГБ M391B5273BH1-CH9 | 4 ГБ | 1333 |
| Samsung | Обнаружение | 8 ГБ M391B1G73AH0-CH9 | 8 ГБ | 1333 |
| Samsung | Обнаружение | 8 ГБ M391B1G73BH0-CH9 | 8 ГБ | 1333 |
| 2 модуля Hynix | Обнаружение | 4 ГБ HMT351U7MFR8C-H9 | 4 ГБ | 1333 |
| датарам | Обнаружение | 4 ГБ DTM64395A | 4 ГБ | 1600 |
