Системная память для системной платы Intel® DZ75ML-45K
Функции системной памяти
Плата имеет четыре разъема для модулей памяти DIMM и поддерживает следующие характеристики памяти:
- модули памяти DIMM DDR3 SDRAM с позолоченными контактами с возможностью возустановки напряжения для поддержки высокопроизводительных модулей памяти DDR3 SDRAM с возможностью увеличения производительности
- Твердотельные накопители DIMM DDR3 1,35 v с низким энергопотреблением (спецификации JEDEC)
- Два независимых канала памяти с поддержкой режима чередования
- Небуферизованные, односторонние и двухсторонние модули DIMM со следующими ограничениями: двухсторонние модули DIMM с разработкой x16 не поддерживаются
- максимальный общий объем системной памяти 32 ГБ (с технологией памяти емкостью 4 ГБ)
- Минимальный рекомендуемый общий объем системной памяти: 1 ГБ
- Модули памяти DIMM без кода коррекции ошибок
- Обнаружение последовательного присутствия
- Модули памяти DDR3 1066 МГц и + 2400 МГц SDRAM (JEDEC DIMM с технологией JEDEC DDR3 1600 МГц) поддерживаются только процессорами Intel® Core™ 3-го поколения с встроенными процессорами Intel Core)
- Поддержка профиля производительности XMP версии 1,3 для скорости памяти до + 2400 МГц
Чтобы обеспечить полное соответствие спецификациям памяти DDR SDRAM, заполните плату модулями DIMM, поддерживающими структуру данных Serial Presence Detect (SPD). Использование модулей DIMM, поддерживающих SPD, позволяет BIOS считывать данные SPD и точно конфигурировать настройки памяти для достижения оптимальной производительности. Если установлена не-SPD память, BIOS пытается настроить настройки памяти, но производительность и надежность могут быть негативными. Кроме того, модули DIMM могут не работать при определенных тактовой частоте.
Поддерживаемые конфигурации памяти
| Емкость модулей DIMM | Конфигурирован | Плотность SDRAM | Организация SDRAM — передняя сторона/задняя сторона | Количество устройств SDRAM |
| 1 ГБ | Одна сторона | 1 Гбит | 128 м x 8/пусто | 8 |
| 2 ГБ | Двусторонняя | 1 Гбит | 128 м x 8/128 м x 8 | 16 |
| 2 ГБ | Одна сторона | 2 Гбит | 256 м x 8/пусто | 8 |
| 4 ГБ | Двусторонняя | 2 Гбит | 256 м x 8/256 м x 8 | 16 |
| 4 ГБ | Одна сторона | 4 Гбит | 512 м x 8/пусто | 8 |
| 8 ГБ | Двусторонняя | 4 Гбит | 512 м x 8/512 м x 8 | 16 |
Протестированные модули памяти
В таблице приведен список компонентов, прошедших тестирование в процессе разработки. Эти номера деталей могут быть недоступны в рамках жизненного цикла продукции.
| Производитель модуля | Номер детали модуля | Размер модуля | Тактовая частота модуля (МГц) |
| ADATA | AX3U1600PB2G8-2P | 2 ГБ | 1600 |
| ADATA | AX3U1866PB2G8-DP2 | 2 ГБ | 1866 |
| ATP | VQ1333B884 | 2 ГБ | 1333 |
| Corsair | CMT4GX3M2A1600C7ver: 2.3 | 2 ГБ | 1600 |
| Corsair | CMT4GX3M2A1866C9 ver: 7.1 | 2 ГБ | 1866 |
| Corsair | CMT4GX3M2A1866 C9 | 4 ГБ | 1866 |
| Corsair | CMGTX8 | 8 ГБ | 2400 |
| 2 модуля Hynix | HMT112U6BFR8C-G7 | 1 ГБ | 1066 |
| 2 модуля Hynix | HMT112U6AFP8C-H9 | 1 ГБ | 1333 |
| 2 модуля Hynix | HMT125U7AFP8C-G7T0 | 2 ГБ | 1066 |
| 2 модуля Hynix | HMT125U6BFR8C-H9 | 2 ГБ | 1333 |
| 2 модуля Hynix | HMT351U6AFR8C-G7 | 4 ГБ | 1066 |
| 2 модуля Hynix | HMT351U6AFR8C-H9 | 4 ГБ | 1333 |
| Kingston | KHX2133C9AD3T1K2/4GX | 4 ГБ | 2133 |
| Kingston | KHX24C11K4 (Макс.: 2400) | 4 ГБ | 2400 |
| Kingston | KHX1600C10D3B1 | 8 ГБ | 1600 |
| Micron | MT8JTF12864AY-1G1D1 | 1 ГБ | 1066 |
| Micron | MT8JTF12864AY-1G4D1 | 1 ГБ | 1333 |
| Micron | MT16JTF25664AY-1G1D1 | 2 ГБ | 1066 |
| Micron | MT16JTF25664AZ-1G4F1 | 2 ГБ | 1333 |
| Micron | MT16JTF51264AZ-1G1D1 | 4 ГБ | 1066 |
| Micron | MT16JTF51264AZ-1G4D | 4 ГБ | 1333 |
| Samsung | M378B2873DZ1-CF8 | 1 ГБ | 1066 |
| Samsung | M378B2873EH1-CH9 | 1 ГБ | 1333 |
| Samsung | M378B5673DZ1-CF8 | 2 ГБ | 1066 |
| Samsung | M378B5673DZ1-CH9 | 2 ГБ | 1333 |
| Samsung | M378B5273BH1-CF8 | 4 ГБ | 1066 |
| Samsung | M378B5273BH1-CF8 | 4 ГБ | 1333 |
| Связанные темы |
| DDR, DDR2 и память DDR3 |
| Одноканальные и многоканальные режимы памяти |
| Устранение проблем системной памяти |
