Системная память для системной платы Intel® DZ75ML-45K

Документация

Совместимость

000007903

10.06.2020

Функции системной памяти
Плата имеет четыре разъема для модулей памяти DIMM и поддерживает следующие характеристики памяти:

  • модули памяти DIMM DDR3 SDRAM с позолоченными контактами с возможностью возустановки напряжения для поддержки высокопроизводительных модулей памяти DDR3 SDRAM с возможностью увеличения производительности
  • Твердотельные накопители DIMM DDR3 1,35 v с низким энергопотреблением (спецификации JEDEC)
  • Два независимых канала памяти с поддержкой режима чередования
  • Небуферизованные, односторонние и двухсторонние модули DIMM со следующими ограничениями: двухсторонние модули DIMM с разработкой x16 не поддерживаются
  • максимальный общий объем системной памяти 32 ГБ (с технологией памяти емкостью 4 ГБ)
  • Минимальный рекомендуемый общий объем системной памяти: 1 ГБ
  • Модули памяти DIMM без кода коррекции ошибок
  • Обнаружение последовательного присутствия
  • Модули памяти DDR3 1066 МГц и + 2400 МГц SDRAM (JEDEC DIMM с технологией JEDEC DDR3 1600 МГц) поддерживаются только процессорами Intel® Core™ 3-го поколения с встроенными процессорами Intel Core)
  • Поддержка профиля производительности XMP версии 1,3 для скорости памяти до + 2400 МГц

Чтобы обеспечить полное соответствие спецификациям памяти DDR SDRAM, заполните плату модулями DIMM, поддерживающими структуру данных Serial Presence Detect (SPD). Использование модулей DIMM, поддерживающих SPD, позволяет BIOS считывать данные SPD и точно конфигурировать настройки памяти для достижения оптимальной производительности. Если установлена не-SPD память, BIOS пытается настроить настройки памяти, но производительность и надежность могут быть негативными. Кроме того, модули DIMM могут не работать при определенных тактовой частоте.

Поддерживаемые конфигурации памяти

Емкость модулей DIMMКонфигурированПлотность SDRAMОрганизация SDRAM — передняя сторона/задняя сторонаКоличество устройств SDRAM
1 ГБОдна сторона1 Гбит128 м x 8/пусто8
2 ГБДвусторонняя1 Гбит128 м x 8/128 м x 816
2 ГБОдна сторона2 Гбит256 м x 8/пусто8
4 ГБДвусторонняя2 Гбит256 м x 8/256 м x 816
4 ГБОдна сторона4 Гбит512 м x 8/пусто8
8 ГБДвусторонняя4 Гбит512 м x 8/512 м x 816

 

Протестированные модули памяти

В таблице приведен список компонентов, прошедших тестирование в процессе разработки. Эти номера деталей могут быть недоступны в рамках жизненного цикла продукции.

Производитель модуляНомер детали модуляРазмер модуляТактовая частота модуля (МГц)
ADATAAX3U1600PB2G8-2P2 ГБ1600
ADATAAX3U1866PB2G8-DP22 ГБ1866
ATPVQ1333B8842 ГБ1333
CorsairCMT4GX3M2A1600C7ver: 2.32 ГБ1600
CorsairCMT4GX3M2A1866C9 ver: 7.12 ГБ1866
CorsairCMT4GX3M2A1866 C94 ГБ1866
CorsairCMGTX88 ГБ2400
2 модуля HynixHMT112U6BFR8C-G71 ГБ1066
2 модуля HynixHMT112U6AFP8C-H91 ГБ1333
2 модуля HynixHMT125U7AFP8C-G7T02 ГБ1066
2 модуля HynixHMT125U6BFR8C-H92 ГБ1333
2 модуля HynixHMT351U6AFR8C-G74 ГБ1066
2 модуля HynixHMT351U6AFR8C-H94 ГБ1333
KingstonKHX2133C9AD3T1K2/4GX4 ГБ2133
KingstonKHX24C11K4 (Макс.: 2400)4 ГБ2400
KingstonKHX1600C10D3B18 ГБ1600
MicronMT8JTF12864AY-1G1D11 ГБ1066
MicronMT8JTF12864AY-1G4D11 ГБ1333
MicronMT16JTF25664AY-1G1D12 ГБ1066
MicronMT16JTF25664AZ-1G4F12 ГБ1333
MicronMT16JTF51264AZ-1G1D14 ГБ1066
MicronMT16JTF51264AZ-1G4D4 ГБ1333
SamsungM378B2873DZ1-CF81 ГБ1066
SamsungM378B2873EH1-CH91 ГБ1333
SamsungM378B5673DZ1-CF82 ГБ1066
SamsungM378B5673DZ1-CH92 ГБ1333
SamsungM378B5273BH1-CF84 ГБ1066
SamsungM378B5273BH1-CF84 ГБ1333

 

Связанные темы
DDR, DDR2 и память DDR3
Одноканальные и многоканальные режимы памяти
Устранение проблем системной памяти